[實(shí)用新型]一種薄壁奧氏體管環(huán)縫相控陣檢測(cè)定位校準(zhǔn)試塊有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201822171359.1 | 申請(qǐng)日： | 2018-12-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN209264639U | 公開（公告）日： | 2019-08-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周路云 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海市特種設(shè)備監(jiān)督檢驗(yàn)技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào)： | G01N29/30 | 分類號(hào)： | G01N29/30 |
| 代理公司： | 上海三方專利事務(wù)所(普通合伙) 31127 | 代理人： | 吳瑋 |
| 地址： | 200062 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 角反射體 柱缺 薄壁 母材 本實(shí)用新型 相控陣檢測(cè) 奧氏體管 校準(zhǔn)試塊 環(huán)縫 無(wú)縫鋼管 超聲相控陣檢測(cè) 加工方便 階梯排列 焊縫 校準(zhǔn) 奧氏體 對(duì)接環(huán) 母材管 內(nèi)壁 試塊 | ||
1.一種薄壁奧氏體管環(huán)縫相控陣檢測(cè)定位校準(zhǔn)試塊，其特征在于：包括母材（1）、柱缺角反射體（2），所述母材（1）由無(wú)縫鋼管制成，母材的無(wú)縫鋼管內(nèi)壁上等間距依次設(shè)有若干級(jí)柱缺角反射體（2），若干級(jí)柱缺角反射體（2）間呈階梯排列，每一級(jí)柱缺角反射體沿母材的無(wú)縫鋼管內(nèi)壁圓周整圈設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄壁奧氏體管環(huán)縫相控陣檢測(cè)定位校準(zhǔn)試塊，其特征在于：所述母材（1）采用奧氏體不銹鋼無(wú)縫鋼管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種薄壁奧氏體管環(huán)縫相控陣檢測(cè)定位校準(zhǔn)試塊，其特征在于：所述母材（1）的管徑與備檢管道管徑一致。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄壁奧氏體管環(huán)縫相控陣檢測(cè)定位校準(zhǔn)試塊，其特征在于：所述母材（1）的管長(zhǎng)為240mm，母材（1）的管內(nèi)壁以距離40mm等間距設(shè)置5個(gè)柱缺角反射體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種薄壁奧氏體管環(huán)縫相控陣檢測(cè)定位校準(zhǔn)試塊，其特征在于：所述母材（1）的無(wú)縫鋼管內(nèi)壁為同心圓，壁厚范圍從3mm～12mm，從小到大階梯遞增，每個(gè)階梯壁厚誤差范圍小于±0.1mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種薄壁奧氏體管環(huán)縫相控陣檢測(cè)定位校準(zhǔn)試塊，其特征在于：所述柱缺角反射體（2）為r≤0.1的直角反射體，柱缺角反射體按40mm等間距設(shè)置于試塊內(nèi)壁，按壁厚3mm、4mm、6mm、8mm和10mm呈階梯狀排列。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海市特種設(shè)備監(jiān)督檢驗(yàn)技術(shù)研究院，未經(jīng)上海市特種設(shè)備監(jiān)督檢驗(yàn)技術(shù)研究院許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201822171359.1/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
