[實用新型]減成法預包封引線框架結構

有效

• 申請號: 201822166736.2
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN209133501U
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 王新潮;郁科鋒;陳靈芝;蔡琨辰
• 申請（專利權）人: 江陰芯智聯電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/48
• 代理公司: 江陰市揚子專利代理事務所(普通合伙) 32309
• 代理人: 隋玲玲

本實用新型涉及一種減成法預包封引線框架結構，所述結構包括內層線路層（1）和外層線路層（2），所述內層線路層（1）和外層線路層（2）之間設有蝕刻阻擋層（3），所述外層線路層（2）外圍包封有第一塑封料（4），所述內層線路層（1）的正面和外層線路層（2）的背面均設有表面處理保護層（5），所述內層線路層（1）正面的表面處理保護層（5）上設置有源或無源器件（6），所述內層線路層（1）、蝕刻阻擋層（3）和有源或無源器件（6）的外圍包封有第二塑封料（7）。本實用新型在基材中增加了蝕刻阻擋層，有效地避免過蝕刻，提高蝕刻的精度，準確界定上下線路層的厚度，提高可實現細線的制作，實現細線可繞式設計。

技術領域

本實用新型涉及一種減成法預包封引線框架結構，屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

當前引線框架產品結構工藝主要有：

一、沖壓法：一般采用高精度帶材經自動化程度很高的高速沖床沖制而成，得到許多具有獨立功能的單顆產品（如SOT、SOP等低密度產品），所有單顆產品通過導電線與邊筋連接成一個整體，在單顆產品所需區域電鍍NiAu、Ag、NiPtAu等，封裝完成后切成單顆。

二、蝕刻法：采用掩膜曝光、顯影、蝕刻等工藝對金屬載板進行蝕刻，得到許多具有獨立功能的單顆產品（如QFN、DFN等高密度產品），所有單顆產品通過導電線與邊筋連接成一個整體，在單顆產品所需區域電鍍NiAu、Ag、NiPtAu等；封裝完成后切成單顆。

而目前的QFN框架制作方式是:采用金屬基板的雙面進行化學蝕刻及表面電鍍層后，即完成引線框的制作，從而進行封裝作業。該工藝存在以下不足和缺陷：

1、常規采用蝕刻工藝的引線框工藝不管是雙面蝕刻還是單面蝕刻，由于蝕刻本身的均勻性問題都無法準確界定上下金屬層的厚度，即內層和外層線路的厚度；；

2、常規采用蝕刻工藝的引線框因蝕刻均勻性及精度的局限性，線路層的線寬線距只能達到70/70um左右，無法實現細線路制作；隨著封裝產品小型化、超薄化、高密度的要求不斷提高，對引線框架或者基板制作要求也小型化、超薄化、高密度，受線路層的線寬線距限制，產品的布線能力無法做到小型化、超薄化、高密度；

3、常規采用蝕刻工藝的引線框因蝕刻后引線框整體鏤空，故部分長度較長及環繞式的金屬線無法制作成功，無法實現自由繞線的設計；

4、常規采用蝕刻工藝的引線框封裝時將基板和芯片一起塑封，外引腳面容易產生塑封溢料影響后續的PCB板焊接品質，若需避免溢料需要額外在框架外引腳面預貼一層高溫膜，導致成本增加；

5、常規采用雙面蝕刻工藝的引線框無法實現細線且可繞式設計，由于芯片與引腳之間的距離較遠，金屬線的長度較長，金屬線成本較高，尤其是昂貴的純金質的金屬線;同樣由于金屬線的長度較長，使得芯片的信號輸出速度較慢，尤其是存儲類的產品以及需要大量數據計算的產品，信號輸出慢的問題更為突出；由于金屬線的長度較長，所以在金屬線所存在的寄生電阻/寄生電容與寄生電桿對信號的干擾也較高；再由于芯片與引腳之間的距離較遠，使得封裝的體積與面積較大，材料成本較高，廢棄物較多。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種減成法預包封引線框架結構，制作細線路實現高密度且多圈排布的預塑封引線框結構。

本實用新型解決上述問題所采用的技術方案為：一種減成法預包封引線框架結構，它包括金屬線路層，所述金屬線路層背面設置有金屬引腳層，所述金屬線路層和金屬引腳層外圍包封有第一塑封料，所述金屬引腳層背面設置有蝕刻凹槽，所述金屬線路層正面設置有預鍍銅層，所述預鍍銅層正面設置有表面處理保護層，所述表面處理保護層上貼裝有芯片，所述預鍍銅層、表面處理保護層和芯片外圍包封有第二塑封料。

一種減成法預包封引線框架結構，所述第一塑封料和第二塑封料采用無填料的環氧樹脂材料或者絕緣材料。