[實用新型]一種分片裝置有效
| 申請號: | 201822159879.0 | 申請日: | 2018-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN209045509U | 公開(公告)日: | 2019-06-28 |
| 發明(設計)人: | 李永杰;張建峰;朱元;王森 | 申請(專利權)人: | 鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 224431 江蘇省鹽*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 分片裝置 吸片 上吸盤 工作臺 側吸 吸盤 花籃 間隔設置 伸入 豎直 平行 加工技術領域 太陽能電池片 本實用新型 方向間隔 吸盤設置 抵接力 彎曲度 裂痕 卡槽 貼合 吸附 成功率 承載 配置 | ||
1.一種分片裝置,包括工作臺(1),所述工作臺(1)被配置為承載花籃(2),其特征在于,所述分片裝置還包括:
上吸盤(3),所述上吸盤(3)設置于所述工作臺(1)的上方,所述上吸盤(3)包括多個平行且間隔設置的上吸片(31);及
側吸盤(4),所述側吸盤(4)設置于所述工作臺(1)的一側,所述側吸盤(4)包括多個平行且間隔設置的側吸片(41);
所述側吸盤(4)和所述上吸盤(3)均能伸入到所述花籃(2)內,且伸入所述花籃(2)同一卡槽(221)內的所述側吸片(41)和所述上吸片(31)分別位于貼合的兩張硅片(5)的兩側以分別吸附一張所述硅片(5),所述側吸片(41)和所述上吸片(31)沿豎直方向間隔指定距離H。
2.如權利要求1所述的分片裝置,其特征在于,所述指定距離H為35mm-40mm。
3.如權利要求2所述的分片裝置,其特征在于,所述指定距離H為37mm。
4.如權利要求1所述的分片裝置,其特征在于,所述側吸片(41)吸附所述硅片(5)表面靠近下端的部分;所述上吸片(31)吸附所述硅片(5)表面靠上端的部分。
5.如權利要求1-4中任一項所述的分片裝置,其特征在于,所述分片裝置還包括:
第一驅動機構,所述第一驅動機構被配置為驅動所述上吸盤(3)伸入所述花籃(2)內或由所述花籃(2)內抽出,并驅動所述上吸盤(3)在水平方向上沿靠近或遠離所述硅片(5)的方向移動;及
第二驅動機構,所述第二驅動機構被配置為驅動所述側吸盤(4)伸入所述花籃(2)內或由所述花籃(2)抽出,并驅動所述側吸盤(4)在水平方向上沿靠近或遠離所述硅片(5)的方向移動。
6.如權利要求5所述的分片裝置,其特征在于,所述第一驅動機構包括:
升降組件,所述升降組件被配置為驅動所述上吸盤(3)升降;及
平移組件,所述平移組件設置于所述升降組件上且與所述上吸盤(3)連接,所述平移組件被配置驅動所述上吸盤(3)沿靠近或遠離所述硅片(5)的方向移動。
7.如權利要求1-4中任一項所述的分片裝置,其特征在于,所述分片裝置還包括:
定位組件,所述定位組件設置于所述工作臺(1)上,所述定位組件用于固定所述花籃(2)。
8.如權利要求7所述的分片裝置,其特征在于,所述定位組件包括:
至少一組定位件(6),每組定位件(6)包括兩個位于所述花籃(2)相對兩側的定位件(6),所述定位件(6)與所述花籃(2)抵接。
9.如權利要求8所述的分片裝置,其特征在于,所述定位件(6)為氣缸。
10.如權利要求8所述的分片裝置,其特征在于,所述定位組件包括兩組定位件(6),兩組定位件(6)中的一組沿所述花籃(2)的寬度方向設置,另一組沿所述花籃(2)的長度方向設置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司,未經鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201822159879.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種半導體晶圓氧化鋁處理及氣體測試儀
- 下一篇:硅片校準裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





