[實用新型]一種雙面拋光機

有效

• 申請號: 201822158368.7
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN209579150U
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 劉桂勇;宋士佳;李琳琳
• 申請（專利權）人: 東泰高科裝備科技有限公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;B24B57/02
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;吳歡燕

本實用新型涉及拋光技術領域，尤其涉及一種雙面拋光機，包括拋光機本體和拋光液供給裝置，拋光液供給裝置包括控制閥、拋光液箱和拋光液管路，拋光液管路包括出液管路與多條輸液管路，輸液管路一端與拋光液箱連接，輸液管路另一端與控制閥連接，出液管路一端與控制閥連接，出液管路另一端設置于拋光機本體上。本實用新型在拋光機本體上設置拋光液供給裝置，在拋光液供給裝置的拋光液管路上加裝控制閥，拋光液箱中裝入不同種的拋光液，分別通過不同的輸液管路輸出，控制閥控制輸液管路向出液管路輸出的拋光液種類，以適應拋光機本體對工件表面進行表面粗糙度不同程度改變的拋光，極大地節省了設備成本以及工件在多臺拋光機之間的傳送時間。

技術領域

本實用新型涉及拋光技術領域，尤其涉及一種雙面拋光機。

背景技術

砷化鎵(GaAs)材料與傳統的硅半導體材料相比，它具電子遷移率高、禁帶寬度大、直接帶隙、消耗功率低等特性，電子遷移率約為硅材料的5.7倍。因此，廣泛應用于高頻及無線通訊中制做IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件，通常應用于無線通信、光纖通信、移動通信、GPS全球導航等領域。除在I C產品應用以外，砷化鎵材料也可加入其它元素改變其能帶結構使其產生光電效應，制成半導體發光器件，還可以制作砷化鎵太陽能電池。

在這些應用中都不可避免地要用到開盒即用(epi-ready)砷化鎵襯底，其通常的加工方法是：把高純單質砷和鎵合成砷化鎵單晶(一般為圓形晶棒)，依次經過晶棒加工、切片、磨邊、腐蝕、粗拋、精拋、清洗、潔凈包裝，得到開盒即用的砷化鎵襯底，其中，在襯底拋光過程中一般都會先進行粗拋，去掉前道工序所造成的表面損傷層，并且使襯底表面的粗糙度降低到0.3nm左右，再進行精拋，以進一步降低表面粗糙度到0.2nm左右，達到外延要求。

目前，在砷化鎵單面拋光過程中，粗拋和精拋是分別在2臺拋光機上完成的，這2臺拋光機的結構功能一樣，區別是使用的拋光墊(pad)硬度以及拋光液(slurry)中二氧化硅顆粒的粒徑不一樣，以達到即能較快地去除襯底表面的損傷層，又能使襯底表面的粗糙度較低(鏡面)的要求，但這樣也極大地增加了生產成本，降低了生產效率。

實用新型內容

(一)要解決的技術問題

本實用新型要解決的技術問題是對于工件的不同表面粗糙度要求的拋光需分別在不同的拋光加工設備上進行，從而增加生產成本，降低生產效率的問題。

(二)技術方案

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種雙面拋光機，包括拋光機本體和拋光液供給裝置，所述拋光液供給裝置包括控制閥、拋光液箱和拋光液管路，所述拋光液管路包括出液管路與多條輸液管路，所述輸液管路一端與所述拋光液箱連接，另一端與所述控制閥連接，所述出液管路一端與所述控制閥連接，另一端設置于所述拋光機本體上。

其中，所述輸液管路包括粗拋拋光液管與精拋拋光液管。

其中，所述控制閥為三通電磁閥。

其中，所述拋光機主體包括上拋光盤和下拋光盤，所述上拋光盤表面設置精拋拋光墊，所述下拋光盤表面設置粗拋拋光墊。

其中，選用邵氏硬度為30-50的精拋拋光墊。

其中，選用邵氏硬度為70-90的粗拋拋光墊。

其中，所述拋光機本體包括承載盤，所述承載盤上設有吸附墊，所述吸附墊上具有放置工件的凹槽。

其中，所述凹槽的深度為所述工件的厚度的60％。

其中，所述承載盤為陶瓷盤。

(三)有益效果