[實用新型]工藝腔室和半導體處理設備

有效

• 申請號: 201822156345.2
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN209029343U
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: 高印博
• 申請（專利權）人: 東泰高科裝備科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種工藝腔室，其特征在于，包括：

腔室本體；

基座，設置在所述腔室本體內；

加熱件，位于所述基座和所述腔室本體的腔室壁之間，所述加熱件能夠向外輻射加熱光線，以加熱所述基座；

反射組件，位于所述加熱件和所述腔室本體的腔室壁之間，所述反射組件能夠將入射至其表面的加熱光線反射至所述基座處。

2.根據權利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述反射組件包括反射件，所述反射件具有反射面，所述反射面與所述加熱件相對設置。

3.根據權利要求2所述的工藝腔室，其特征在于，所述反射面呈平面或弧面，所述弧面的凸出方向遠離所述加熱件。

4.根據權利要求3所述的工藝腔室，其特征在于，所述加熱件包括沿所述腔室本體的徑向間隔設置的若干個紅外加熱燈管；

當所述反射面呈弧面時，所述弧面包括間隔設置的多個子弧面，每個所述子弧面至少對應一個所述紅外加熱燈管，且所述子弧面將與其所對應的所述紅外加熱燈管包裹在其內。

5.根據權利要求4所述的工藝腔室，其特征在于，每個所述反射面在對應所述紅外加熱燈管的位置處設置有冷卻槽，以冷卻對應的所述紅外加熱燈管。

6.根據權利要求2至5中任意一項所述的工藝腔室，其特征在于，所述反射組件還包括冷卻件，所述冷卻件用于冷卻所述反射件。

7.根據權利要求6所述的工藝腔室，其特征在于，所述冷卻件包括若干個冷卻管路，所述反射件包括沿其長度方向間隔設置的若干個安裝孔；其中，

每個所述冷卻管路穿設在對應的所述安裝孔中。

8.根據權利要求7所述的工藝腔室，其特征在于，其中一部分所述冷卻管路為水冷管路，另一部分所述冷卻管路為氣冷管路，并且，所述水冷管路和所述氣冷管路交叉間隔設置。

9.根據權利要求8所述的工藝腔室，其特征在于，在所述反射面上設置有冷卻槽時，每個所述氣冷管路的出氣口與對應的所述冷卻槽連通。

10.一種半導體處理設備，其特征在于，所述半導體處理設備包括權利要求1至9中任意一項所述的工藝腔室。