[實用新型]一種基于多量子阱結構的太陽能電池有效
| 申請號： | 201822151260.5 | 申請日： | 2018-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN209199964U | 公開（公告）日： | 2019-08-02 |
| 發明（設計）人： | 郭建廷;李方紅;常嘉興 | 申請（專利權）人： | 深圳市科創數字顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0693 | 分類號： | H01L31/0693;H01L31/0236;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 518000 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能電池 多量子阱結構 凹陷區域 納米材料 圖案化 本實用新型 復合層 能量轉換效率 電流擴散層 量子點材料 納米金屬 依次層疊 緩沖層 吸收層 襯底 應用 | ||
1.一種基于多量子阱結構的太陽能電池，其特征在于，包括依次層疊設置的襯底、緩沖層、n-GaN層、MQW吸收層、p-GaN復合層和電流擴散層，所述p-GaN復合層包括表面設有圖案化凹陷區域的p-GaN層和形成于所述圖案化凹陷區域的納米材料，所述納米材料為納米金屬或量子點材料。
2.根據權利要求1所述的基于多量子阱結構的太陽能電池，其特征在于，所述納米金屬包括納米銀、納米金、納米銦、納米金屬合金中的任一種。
3.根據權利要求1所述的基于多量子阱結構的太陽能電池，其特征在于，所述MQW吸收層為InGaN/GaN、InGaN/AlInGaN、AlGaN/InGaN中的任一種。
4.根據權利要求1所述的基于多量子阱結構的太陽能電池，其特征在于，所述n-GaN層包括Si摻雜的n-GaN層和Si重摻雜的n+GaN層。
5.根據權利要求1-4任一項所述的基于多量子阱結構的太陽能電池，其特征在于，所述電流擴散層為ITO層、IZO層或AZO層。
6.根據權利要求1-4任一項所述的基于多量子阱結構的太陽能電池，其特征在于，所述襯底的材料為藍寶石、碳化硅、氮化鎵或硅。
7.根據權利要求1-4任一項所述的基于多量子阱結構的太陽能電池，其特征在于，所述電流擴散層和n-GaN層上設置有歐姆接觸結構。
8.根據權利要求7所述的基于多量子阱結構的太陽能電池，其特征在于，所述歐姆接觸結構為單一金屬或金屬組合。
9.根據權利要求1-4任一項所述的基于多量子阱結構的太陽能電池，其特征在于，所述緩沖層為525～550℃生長的低溫GaN緩沖層或在950～1100℃生長的高溫AlN緩沖層。
10.根據權利要求1-4任一項所述的基于多量子阱結構的太陽能電池，其特征在于，所述p-GaN復合層的厚度為150～200μm。
11.根據權利要求1-4任一項所述的基于多量子阱結構的太陽能電池，其特征在于，所述圖案化凹陷區域為微米圓區域。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
