[實用新型]光檢測設備和使用其的生物傳感器

有效

• 申請號: 201822149912.1
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN210037611U9
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 蔡秀雨;約瑟夫·弗朗西斯·平托;托馬斯·A·貝克;特蕾西·海倫·馮
• 申請（專利權）人: 伊魯米那股份有限公司
• 主分類號: G01N21/63
• 分類號: G01N21/63;G01N21/64;G01N21/01;B01L3/00
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 張瑞;楊明釗

1.一種光檢測設備，包括：

反應結構，所述反應結構形成多個反應凹槽和至少一個反應位點，所述多個反應凹槽用于包含pH小于或等于5或pH大于或等于8的反應溶液，所述至少一個反應位點在用所述反應溶液處理后響應于入射激發光而產生光發射；和

設備基座，所述設備基座被定位于所述反應結構下方，包括：

多個光傳感器；

設備電路，所述設備電路電耦合到所述光傳感器，以基于由所述光傳感器檢測到的光子而傳輸數據信號；

多個光導，所述多個光導具有輸入區域，所述輸入區域接收所述入射激發光和來自至少一個對應的反應凹槽的所述光發射，所述多個光導從所述輸入區域朝向至少一個對應的光傳感器延伸到所述設備基座中并且包括至少一種過濾材料，所述至少一種過濾材料過濾所述入射激發光并允許所述光發射傳遞到所述至少一個對應的光傳感器；

襯墊層，所述襯墊層圍繞每個光導延伸并被定位在每個光導和所述設備電路之間；和

保護層，所述保護層圍繞每個光導延伸并被定位在每個光導和所述襯墊層之間，所述保護層防止穿過所述反應結構和所述光導的反應溶液與所述設備電路相互作用，其中，所述保護層相對于所述反應溶液是化學惰性的。

2.根據權利要求1所述的光檢測設備，其中，所述保護層鄰接在所述設備基座內的所述多個光導。

3.根據權利要求2所述的光檢測設備，其中，所述設備電路被設置在所述設備基座的介電材料層內，其中，所述襯墊層被定位在所述保護層和所述介電材料層之間，并且其中，所述襯墊層鄰接所述介電材料層。

4.根據權利要求1所述的光檢測設備，其中，所述保護層還在所述設備基座的頂表面和所述反應結構的圍繞所述多個反應凹槽延伸的間隙區域之間延伸。

5.根據權利要求4所述的光檢測設備，其中，所述襯墊層在所述設備基座的所述保護層和所述頂表面之間延伸。

6.根據權利要求1所述的光檢測設備，其中，所述保護層包括二氧化硅、金屬氧化物、金屬氮化物或其組合。

7.根據權利要求1所述的光檢測設備，其中，所述保護層包括二氧化硅、氮氧化硅、一氧化硅、碳化硅、碳氧化硅、硝基碳化硅、金屬氧化物、金屬氮化物或其組合。

8.根據權利要求7所述的光檢測設備，其中，所述反應溶液的pH大于或等于8。

9.根據權利要求1所述的光檢測設備，其中，所述反應溶液的pH小于或等于5，并且其中，所述保護層包括碳化硅、碳氧化硅、硝基碳化硅、金屬氧化物、金屬氮化物或其組合。

10.根據權利要求1所述的光檢測設備，其中，所述襯墊層是氮化硅襯墊層。

11.根據權利要求1所述的光檢測設備，其中，所述保護層包括液體不可滲透的阻擋層。

12.根據權利要求1所述的光檢測設備，其中，所述設備電路包括互連的導電元件，并且所述保護層防止所述反應溶液氧化所述導電元件。

13.根據權利要求1所述的光檢測設備，其中，所述保護層的厚度在5納米至100納米的范圍內。

14.根據權利要求1所述的光檢測設備，其中，所述反應結構包括被固定到在所述多個反應凹槽中的每一個反應凹槽內的所述反應結構上的至少一個反應位點，并且其中，所述反應溶液能夠在響應于所述入射激發光而產生光發射的所述至少一個反應位點處引發反應和/或形成反應產物。

15.根據權利要求14所述的光檢測設備，其中，所述至少一個反應位點包括至少一種分析物，并且其中，所述反應溶液包括至少一種熒光標記分子。