[實用新型]高壓功率模塊封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822148973.6
• 申請日: 2018-12-19
• 公開（公告）號: CN209199924U
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊英杰;梁琳;顏輝;陳雪筠
• 申請（專利權(quán)）人: 常州瑞華新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/14
• 代理公司: 南京中高專利代理有限公司 32333
• 代理人: 呂波

1.一種高壓功率模塊封裝結(jié)構(gòu)，包括若干芯片、輸出端子和基板，其特征在于：所述芯片通過焊料層焊接固定在覆銅陶瓷板上；所述芯片之間通過鍵合引線相連，所述芯片通過鍵合引線與輸出端子相連接；所述覆銅陶瓷板固定在基板上，所述芯片、輸出端子、覆銅陶瓷板和基板外側(cè)設(shè)置通過樹脂密封層灌封。

2.按照權(quán)利要求1所述的高壓功率模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述覆銅陶瓷板包括從上至下依次連接的頂部銅層、上部陶瓷層、中間銅層、下部陶瓷層和底部銅層，所述中間銅層厚度分別小于頂部銅層和底部銅層的厚度；所述頂部銅層為芯片提供流通路徑，所述底部銅層與基板固定連接。

3.按照權(quán)利要求2所述的高壓功率模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述中間銅層切割為若干等分。

4.按照權(quán)利要求2所述的高壓功率模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述下部陶瓷層和上部陶瓷層厚度相同。

5.按照權(quán)利要求1所述的高壓功率模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述上部陶瓷層和下部陶瓷層的材料為氧化鋁或氮化鋁。