[實(shí)用新型]一種多晶硅鑄錠用的底部保溫裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201822145361.1
• 申請(qǐng)日: 2018-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN209368385U
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚晨;雷琦;劉世龍;張澤興;賴昌權(quán);黃林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江西旭陽(yáng)雷迪高科技股份有限公司
• 主分類號(hào): C30B28/06
• 分類號(hào): C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司 36115
• 代理人: 謝德珍

一種多晶硅鑄錠用的底部保溫裝置，包括固定在隔熱籠底部的底部保溫板，所述底部保溫板包括第一底部保溫板，第一底部保溫板的下端設(shè)有第二底部保溫板，第一底部保溫板層疊置于第二底部保溫板上端面的中間位置，所述第一底部保溫板的上端面上的中心位置設(shè)有凹槽。該裝置使多晶硅錠在長(zhǎng)晶期間的垂直溫度梯度得到顯著提高，增加了硅錠中心區(qū)域的長(zhǎng)晶速率，從而使長(zhǎng)晶界面變平或者微凸，減少了硅錠邊部區(qū)域的晶體缺陷，同時(shí)可以增加硅錠的長(zhǎng)晶速率，提高了生產(chǎn)效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種多晶硅鑄錠用的底部保溫裝置。

背景技術(shù)

目前，高效多晶廣泛應(yīng)用于太能陽(yáng)電池的制備，高效多晶硅片主要采用的多晶鑄錠爐，多晶鑄錠爐以定向凝固（DSS）為主，DSS生長(zhǎng)主要包括以下步驟：加熱、熔化、長(zhǎng)晶、退火、冷卻。鑄錠爐內(nèi)部的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)包括隔熱籠、DS-BLOCK散熱平臺(tái)、加熱器、底部保溫板等，底部保溫板的作用是在硅料熔化階段能夠阻止熱量從爐體下方散失，長(zhǎng)晶階段可以使熱場(chǎng)保持一定的縱向溫度梯度，使長(zhǎng)晶的晶粒能夠保持柱狀生長(zhǎng)，減少了不同晶粒間的相互擠壓從而降低了位錯(cuò)的產(chǎn)生幾率。但現(xiàn)有底部保溫板存在使得硅錠中心區(qū)域的長(zhǎng)晶速率低，增加了硅錠邊部區(qū)域的晶體缺陷，同時(shí)降低了生產(chǎn)效率的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型其目的就在于提供一種多晶硅鑄錠用的底部保溫裝置，解決了現(xiàn)有底部保溫板存在使得硅錠中心區(qū)域的長(zhǎng)晶速率低，增加了硅錠邊部區(qū)域的晶體缺陷，同時(shí)降低了生產(chǎn)效率的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的而采取的技術(shù)方案是，一種多晶硅鑄錠用的底部保溫裝置，包括固定在隔熱籠底部的底部保溫板，所述底部保溫板包括第一底部保溫板，第一底部保溫板的下端設(shè)有第二底部保溫板，第一底部保溫板層疊置于第二底部保溫板上端面的中間位置，所述第一底部保溫板的上端面上的中心位置設(shè)有凹槽。

有益效果

與現(xiàn)有技術(shù)相比本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)。

1.提高硅錠長(zhǎng)晶階段在垂直方向上的溫度梯度；

2.改善長(zhǎng)晶界面由凹界面變?yōu)槠浇缑婊蛘呶⑼菇缑妫?/p>

3.降低硅錠的長(zhǎng)晶時(shí)間，提升了生產(chǎn)效率。

附圖說(shuō)明

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳述。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型安裝至隔熱籠的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。

本裝置包括固定在隔熱籠1底部的底部保溫板2，如圖1、2所示，所述底部保溫板2包括第一底部保溫板21，第一底部保溫板21的下端設(shè)有第二底部保溫板22，第一底部保溫板21層疊置于第二底部保溫板22上端面的中間位置，所述第一底部保溫板21的上端面上的中心位置設(shè)有凹槽23。

所述凹槽23的端面為正方形結(jié)構(gòu)，正方形邊長(zhǎng)為300-800mm。

所述第一底部保溫板21位于凹槽23下端的底部薄層的厚度為0-30mm。

本實(shí)用新型是將第一底部保溫板21中間部分設(shè)計(jì)成正方形的凹槽23結(jié)構(gòu)，凹槽23底部是厚度為0-30mm的薄層，薄層形狀為正方形，正方形邊長(zhǎng)為300-800mm，第一底部保溫板21中薄層以外的部分厚度保持不變，通過(guò)改變第一底部保溫板的結(jié)構(gòu)形狀，增加了DS散熱塊的輻射能量從第一底部保溫板21的中心區(qū)域傳遞出去，從而提高了硅錠中心區(qū)域的散熱效率和溫度梯度，使硅錠中心區(qū)域的長(zhǎng)晶速率得到提升，同時(shí)硅錠邊部區(qū)域的散熱效率降低，從而降低了硅錠邊部區(qū)域的長(zhǎng)晶速率，得到的效果就是改善了整個(gè)硅錠的長(zhǎng)晶界面由改前的凹界面變成改后的平界面或者微凸界面，從而提高多晶硅錠的晶體質(zhì)量和生產(chǎn)效率。

實(shí)施例1