[實用新型]一種Si基改性Ge單片同層結構有效
| 申請號： | 201822144952.7 | 申請日： | 2018-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN209344105U | 公開（公告）日： | 2019-09-03 |
| 發明（設計）人： | 尹曉雪 | 申請（專利權）人： | 西安科銳盛創新科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/153 | 分類號： | H01L31/153;H01L31/173;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 孫濤濤 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市高新區高新路86號*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基底層 上層 波導 發光 本實用新型 基改性 單片 同層 探測 半導體制造領域 半導體技術 材料形成 對稱設置 覆蓋區域 寬度調節 同質外延 相對設置 壓應力膜 張應力膜 不兼容 隔離層 應力膜 禁帶 | ||
【權利要求書】：
1.一種Si基改性Ge單片同層結構，其特征在于，包括：
基底層(1)；
發光部分(2)，位于所述基底層(1)上層的一側；
探測部分(3)，位于所述基底層(1)上層的另一側，并與所述發光部分(2)相對設置；
波導部分(4)，位于所述基底層(1)的上層，且位于所述發光部分(2)與所述探測部分(3)之間；
隔離層(5)，位于所述基底層(1)的上層，與所述波導部分(4)相鄰且對稱設置于所述波導部分(4)兩側。
2.根據權利要求1所述的Si基改性Ge單片同層結構，其特征在于，在所述波導部分(4)和所述隔離層(5)包覆有壓應力膜(6)。
3.根據權利要求1所述的Si基改性Ge單片同層結構，其特征在于，在所述探測部分(3)和所述探測部分(3)兩側的基底層(1)包覆有張應力膜(7)。
4.根據權利要求3所述的Si基改性Ge單片同層結構，其特征在于，還包括：
金屬層(8)，位于所述發光部分(2)的上層、所述發光部分(2)兩側基底層(1)的上層、所述張應力膜(7)的上層。
5.根據權利要求4所述的Si基改性Ge單片同層結構，其特征在于，所述金屬層(8)，材料為金屬Al，用于形成電極。
6.一種Si基改性Ge單片同層光電器件，其特征在于，包括權利要求1-5項中任一項所述的Si基改性Ge單片同層結構。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
