[實用新型]HIT異質結太陽能電池制造設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201822142955.7 | 申請日: | 2018-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN209328932U | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 范繼良 | 申請(專利權)人: | 黃劍鳴 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/67;H01L21/677;C23C16/54;C23C14/56 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 張艷美;王志 |
| 地址: | 中國香港新界大埔*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 沉積室 隔離室 異質結太陽能電池 制造設備 本實用新型 輥軸組件 氣流流動性 一體式設計 抽氣裝置 從動輥軸 對接設置 工序處理 密封連通 生產效率 同步傳輸 抽氣腔 分隔式 卸載室 裝載室 硅片 相切 連通 隔離 室內 生產 | ||
1.一種HIT異質結太陽能電池制造設備,其特征在于,包括依次對接設置的用于提供硅片的裝載室、用于化學氣相沉積的第一PECVD沉積室、用于化學氣相沉積的第二PECVD沉積室、用于磁控濺射鍍膜的PVD沉積室及用于卸載硅片的卸載室,還包括用于同步傳輸硅片于各工序之間的同步室,所述裝載室與所述第一PECVD沉積室之間設置一所述同步室,所述PVD沉積室與所述卸載室之間設置一所述同步室,所述同步室內設置有同步電機,兩所述同步室內的所述同步電機借由一用于承載硅片的傳輸件連接,所述傳輸件依次貫穿所述裝載室、所述第一PECVD沉積室、所述第二PECVD沉積室、所述PVD沉積室及所述卸載室,所述第一PECVD沉積室與所述第二PECVD沉積室之間、以及所述第二PECVD沉積室與所述PVD沉積室之間均設置一隔離室,所述隔離室呈中空結構并形成抽氣腔,所述抽氣腔連通一抽氣裝置,所述第一PECVD沉積室與所述第二PECVD沉積室借由二者之間的所述隔離室呈密封的連通,所述第二PECVD沉積室與所述PVD沉積室借由二者之間的所述隔離室呈密封的連通,所述隔離室的抽氣腔內設置有輥軸組件,所述輥軸組件包括呈上下相切設置的從動輥軸和主動輥軸,所述主動輥軸連接一驅動其轉動的輥軸驅動機構,所述主動輥軸和所述從動輥軸外均具有呈柔性結構的硅膠層,穿過所述第一PECVD沉積室的所述傳輸件與所述第一PECVD沉積室與所述第二PECVD沉積室之間的隔離室中的輥軸組件的主動輥軸與從動輥軸相切處正對對接,穿過所述第二PECVD沉積室的所述傳輸件與所述第二PECVD沉積室與所述PVD沉積室之間的隔離室中的輥軸組件的主動輥軸與從動輥軸相切處正對對接,兩所述同步電機的同步驅動將使從裝載室內移送至傳輸件上的硅片,依次通過所述第一PECVD沉積室、所述第二PECVD沉積室及所述PVD沉積室而到達所述卸載室被卸下,所述傳輸件于所述隔離室處繞行設置,硅片由所述第一PECVD沉積室到所述第二PECVD之間的傳輸借由二者之間的隔離室內的主動輥軸與從動輥軸的滾動而傳輸,硅片由第二PECVD沉積室到所述PVD沉積室之間的傳輸借由二者之間的隔離室內的主動輥軸與從動輥軸的滾動而傳輸。
2.如權利要求1所述的HIT異質結太陽能電池制造設備,其特征在于,所述隔離室的兩端分別延伸出與所述抽氣腔連通的第一通道和第二通道,位于所述第一PECVD沉積室與所述第二PECVD沉積室之間的隔離室的第一通道與所述第一PECVD沉積室的右端密封對接連通,位于所述第一PECVD沉積室與所述第二PECVD沉積室之間的隔離室的第二通道與所述第二PECVD沉積室的左端密封對接連通,位于所述第二PECVD沉積室與所述PVD沉積室之間的隔離室的第一通道與所述第二PECVD沉積室的右端密封對接連通,位于所述第二PECVD沉積室與所述PVD沉積室之間的隔離室的第二通道與所述PVD沉積室的密封對接連通。
3.如權利要求2所述的HIT異質結太陽能電池制造設備,其特征在于,所述傳輸件貫穿所述第一通道與所述第二通道,所述傳輸件繞設于所述抽氣腔中的輥軸組件之外。
4.如權利要求1所述的HIT異質結太陽能電池制造設備,其特征在于,所述第一PECVD沉積室及所述第二PECVD沉積室結構相同,所述第一PECVD沉積室及所述第二PECVD沉積室均包括氣盒機構及電極機構,所述氣盒機構包括呈中空結構的氣盒體,所述中空結構形成氣腔,所述氣盒體呈矩形結構,所述氣腔中呈平行的等間距設置有第一隔板,所述第一隔板將所述氣腔分隔形成各自相互獨立的氣腔單元,所述氣腔單元所對應的氣盒體的頂面貫穿開設有與所述氣腔單元連通的進氣口,每一所述氣腔單元所對應的氣盒體的底面上均呈平行的等間距設置有導電結構的第二隔板,相鄰兩所述第二隔板之間的氣盒體的底面貫穿開設有與所述氣腔單元連通的呈條狀的出氣口,相鄰兩所述第二隔板之間形成電離腔單元,所述傳輸件橫跨于所述電離腔單元正下方,所述氣腔單元與所述電離腔單元呈一一正對設置,依次連通的所述進氣口、所述氣腔單元、所述出氣口及所述電離腔單元形成一沉積通道,所述電極機構包括承載體,所述承載體上呈平行且等間距的延伸出與所述電離腔單元對應的電極條,所述電極條對應懸置于所述電離腔單元中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





