[實用新型]等離子體增強化學氣相沉積用多通道電極裝置

有效

• 申請號: 201822142952.3
• 申請日: 2018-12-19
• 公開（公告）號: CN209397263U
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 范繼良
• 申請（專利權）人: 黃劍鳴
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/455
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 張艷美;王志

本實用新型公開了一種等離子體增強化學氣相沉積用多通道電極裝置，其包括氣盒機構及電極機構，氣盒機構包括呈中空結構的氣盒體，中空結構被第一隔板分隔形成各自相互獨立的氣腔單元，氣盒體的頂面貫穿開設有與氣腔單元連通的進氣口，每一氣腔單元所對應的氣盒體的底面上均設置有導電結構的第二隔板，相鄰兩第二隔板之間的氣盒體的貫穿開設有與氣腔單元連通的出氣口，相鄰兩第二隔板之間形成電離腔單元，依次連通的進氣口、氣腔單元、出氣口及電離腔單元形成一沉積通道，電極機構的電極條對應懸置于電離腔單元中；由上可知，本實用新型借由所提供的多條沉積通道可同時進行不同氣體的電離，進而實現對基板同時進行多層沉積的目的。

技術領域

本實用新型涉及一種等離子體增強化學氣相沉積用裝置，尤其涉及一種可同時對多種不同氣體進行電離的等離子體增強化學氣相沉積用電極裝置。

背景技術

隨著經濟建設的快速發展，微電子技術得到了迅猛的發展，等離子體增強化學氣相沉積(英文全稱：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；簡稱：PECVD)設備的開發和使用也日益廣泛。PECVD設備是利用高頻電源輝光放電，產生等離子體化學沉積的設備，由于等離子體的存在，從而降低沉積溫度。目前，PECVD設備廣泛的用于液晶顯示行業、太陽能電池行業、半導體器件及大規模集成電路的制造行業等。

等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)通常被用來在基板(例如用于平面面板顯示器的透明基板或半導體晶片)上沉積材料層。PECVD通常是通過導引前驅物氣體或氣體混合物進入含有基板的真空腔室來完成，通過施加射頻給前驅物氣體或者氣體混合物使其被能量化(例如激發)成等離子體，這些等離子體可以相互反應或者與基底表面物質反應以便沉積成材料層。

目前現有的電離裝置通常只能同時對一種氣體進行電離，在需要在基板上依次沉積多層沉積層時，需要將沉積好的一層的基板移動到另一電離裝置中進行另一材質的沉積，或者是等待基板完全沉積好一層后再通以另一氣體進行另一材質的沉積，無論采用何種沉積方式和手段，都是先完全沉積好一層后再沉積另一層，對于需要在基板上沉積多層沉積層的需求時，需要反復的進行重復性的操作，沉積效率低且操作繁瑣。

因此，亟需一種可同時進行多層沉積的等離子體增強化學氣相沉積用多通道電極裝置。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種可同時進行多層沉積的等離子體增強化學氣相沉積用多通道電極裝置。

為了實現上有目的，本實用新型提供了一種等離子體增強化學氣相沉積用多通道電極裝置，其包括氣盒機構及電極機構，所述氣盒機構包括呈中空結構的氣盒體，所述中空結構形成氣腔，所述氣盒體呈矩形結構，所述氣腔中呈平行的等間距設置有第一隔板，所述第一隔板將所述氣腔分隔形成各自相互獨立的氣腔單元，所述氣腔單元所對應的氣盒體的頂面貫穿開設有與所述氣腔單元連通的進氣口，每一所述氣腔單元所對應的氣盒體的底面上均呈平行的等間距設置有導電結構的第二隔板，相鄰兩所述第二隔板之間的氣盒體的底面貫穿開設有與所述氣腔單元連通的呈條狀的出氣口，相鄰兩所述第二隔板之間形成電離腔單元，所述氣腔單元與所述電離腔單元呈一一正對設置，依次連通的所述進氣口、所述氣腔單元、所述出氣口及所述電離腔單元形成一沉積通道，所述電極機構包括承載體，所述承載體上呈平行且等間距的延伸出與所述電離腔單元對應的電極條，所述電極條對應懸置于所述電離腔單元中。

較佳地，本實用新型的等離子體增強化學氣相沉積用多通道電極裝置中的進氣口呈均勻的分布于所述氣盒體的頂面上。

較佳地，本實用新型的等離子體增強化學氣相沉積用多通道電極裝置中懸置于所述電離腔單元中的所述電極條位于所述出氣口的正下方。

較佳地，本實用新型的等離子體增強化學氣相沉積用多通道電極裝置中的氣盒機構還包括安裝板，所述安裝板呈相對的固定于所述氣盒體的相對兩側上，且位于最外側的兩所述第二隔板與兩所述安裝板圍成一矩形結構，所述電極條可拆卸的水平插設于所述安裝板上。