[實用新型]一種用于降低CVD合成金剛石雜質含量的裝置有效
| 申請號： | 201822137080.1 | 申請日： | 2018-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN209468524U | 公開（公告）日： | 2019-10-08 |
| 發明（設計）人： | 黃翀;彭國令 | 申請（專利權）人： | 長沙新材料產業研究院有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/04 | 分類號： | C30B29/04;C30B25/00;C23C16/27;C01B32/26 |
| 代理公司： | 長沙國科天河知識產權代理有限公司 43225 | 代理人： | 邱軼 |
| 地址： | 410000 湖南省長沙市高新開發區文軒路2*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金剛石 金剛石籽晶 襯底 鍍層 單晶金剛石 襯底表面 合成 多晶 本實用新型 基板臺 金剛石合成設備 多晶金剛石膜 溫度均勻性 雜質原子 粗糙度 熱導率 最大化 沉積 異質 隔離 阻擋 生長 安置 應用 | ||
1.一種用于降低CVD合成金剛石雜質含量的裝置，其特征在于，包括基板臺與以及設在基板臺頂部的襯底，所述襯底的頂部設有能夠安置金剛石籽晶的鍍層，所述鍍層由多晶金剛石制成。
2.根據權利要求1所述用于降低CVD合成金剛石雜質含量的裝置，其特征在于，所述鍍層的厚度為45～55微米。
3.根據權利要求1所述用于降低CVD合成金剛石雜質含量的裝置，其特征在于，所述鍍層上設有若干能夠安置金剛石籽晶的凹孔，所述凹孔貫穿鍍膜。
4.根據權利要求1或2或3所述用于降低CVD合成金剛石雜質含量的裝置，其特征在于，所述基板臺的頂部設有若干導熱棒，所述襯底通過導熱棒支撐設在基板臺上，所述導熱棒的截面形狀為多邊形結構。
5.根據權利要求4所述用于降低CVD合成金剛石雜質含量的裝置，其特征在于，各導熱棒的長度相等，若干導熱棒在基板臺的頂部構成幾何對稱的結構。
6.根據權利要求4所述用于降低CVD合成金剛石雜質含量的裝置，其特征在于，所述導熱棒由鉬或鎢或陶瓷制成。
7.根據權利要求4所述用于降低CVD合成金剛石雜質含量的裝置，其特征在于，所述基板臺上設有散熱結構。
8.根據權利要求7所述用于降低CVD合成金剛石雜質含量的裝置，其特征在于，所述散熱結構包括設在基板臺內的冷凝腔、進液通道與出液通道，所述冷凝腔位于基板臺內靠近基板臺頂端的位置，所述冷凝腔分別與進液通道、出液通道連通。
9.根據權利要求8所述用于降低CVD合成金剛石雜質含量的裝置，其特征在于，所述冷凝腔頂部設有若干溝槽以用于增加冷凝介質與基板臺的接觸面積。
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