[實用新型]一種增強藍光型硅基雪崩光電二極管陣列

有效

• 申請號: 201822131919.0
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN209418524U
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發明（設計）人: 高丹;張軍
• 申請（專利權）人: 暨南大學
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18;H01L27/144
• 代理公司: 廣州潤禾知識產權代理事務所(普通合伙) 44446
• 代理人: 林偉斌;凌衍芬

1.一種增強藍光型硅基雪崩光電二極管陣列，其特征在于，所述雪崩光電二極管為SACM型APD，包括襯底以及設于襯底底部的陽極，所述襯底上表面設有凹槽，所述凹槽中自下而上依次包括：陰極、非耗盡層、倍增層和場控層，且陰極、非耗盡層、倍增層以及場控層與所述襯底之間絕緣；所述場控層上覆有吸收層，且所述吸收層與所述襯底相接；所述吸收層表面覆有亞波長結構層；

所述襯底為p⁺型硅片；所述非耗盡層為n⁺型硅外延層；所述倍增層為π型的硅外延層；所述場控層為p型的硅外延層；所述吸收層為π型硅外延層。

2.根據權利要求1所述的增強藍光型硅基雪崩光電二極管陣列，其特征在于，所述陰極、非耗盡層、倍增層和場控層與所述襯底之間絕緣具體為：所述陰極、非耗盡層、倍增層和場控層與所述襯底之間填充有絕緣填充物；所述絕緣填充物包括設于凹槽底部的第一絕緣層；所述絕緣填充物還包括設于凹槽側面，將陰極、非耗盡層、倍增層和場控層的側面與襯底隔離的第二絕緣層。

3.根據權利要求2所述的增強藍光型硅基雪崩光電二極管陣列，其特征在于，所述第一絕緣層為聚二甲基硅氧烷、聚酰亞胺或者SiO₂，所述第二絕緣層為空氣、聚二甲基硅氧烷、聚酰亞胺或者SiO₂。

4.根據權利要求1所述的增強藍光型硅基雪崩光電二極管陣列，其特征在于，所述亞波長結構層的厚度為10nm～500nm；和/或所述亞波長結構層的形狀為正方形、長方形、圓形或者十字型。

5.根據權利要求1所述的增強藍光型硅基雪崩光電二極管陣列，其特征在于，所述非耗盡層的面積小于所述倍增層的面積。

6.根據權利要求5所述的增強藍光型硅基雪崩光電二極管陣列，其特征在于，所述非耗盡層的面積為倍增層的面積50％～99％。

7.根據權利要求1或4～6任一項所述的增強藍光型硅基雪崩光電二極管陣列，其特征在于，所述襯底上表面設有多個陣列的凹槽；各所述凹槽覆有相對應的吸收層，且所述吸收層分別與所述場控層和襯底相接，同時各所述凹槽所對應的吸收層之間是相互斷開的。