[實用新型]基于全局噪聲抵消方法的低噪聲放大器有效
| 申請號： | 201822131546.7 | 申請日： | 2018-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN209345109U | 公開（公告）日： | 2019-09-03 |
| 發明（設計）人： | 劉洋;王昭昊;楊建磊;趙巍勝 | 申請（專利權）人： | 北京航空航天大學青島研究院 |
| 主分類號： | H03F1/26 | 分類號： | H03F1/26;H03F1/56;H03F3/195 |
| 代理公司： | 青島中天匯智知識產權代理有限公司 37241 | 代理人： | 陳磊 |
| 地址： | 266000 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 支路 低噪聲放大器電路 噪聲抵消 低噪聲放大器 輸出節點 共源極 共柵極 源器件 相加 抵消 信號輸出節點 本實用新型 放大級電路 雙支路結構 電阻反饋 反相關系 降低噪聲 輸入級 反相 漏極 源極 全局 噪聲 對稱 傳輸 輸出 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于全局噪聲抵消方法的低噪聲放大器，具有雙支路電路結構，其特征在于：兩個支路結構相同、且完全對稱；
每一支路，均由一個共柵極輸入級和帶有電阻反饋的共源極放大級電路構成；兩個所述共柵極的源極作為信號輸入端，兩個所述帶有電阻反饋的共源極放大級電路的漏極作為信號輸出節點。
2.根據權利要求1所述的基于全局噪聲抵消方法的低噪聲放大器，其特征在于：在每一支路中，共柵極輸入級的漏極連接所述帶有電阻反饋的共源極放大級的柵極；
所述的帶有電阻反饋的共源極放大級，由一個NMOS管，一個PMOS管和一個電阻連接而成；
NMOS管與PMOS管呈反相器結構連接，NMOS管與PMOS管的漏極均連接至輸出節點；
所述的電阻，在NMOS管與PMOS管的漏極和柵極之間形成一個前向反饋。
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