[實用新型]感應加熱直拉法生長單晶的稱量裝置及單晶爐

有效

• 申請號: 201822124776.0
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN209243244U
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 肖學峰;張學鋒;韋海成;張歡
• 申請（專利權）人: 北方民族大學
• 主分類號: C30B15/28
• 分類號: C30B15/28
• 代理公司: 寧夏合天律師事務所 64103
• 代理人: 周曉梅;孫彥虎

1.一種感應加熱直拉法生長單晶的稱量裝置，其特征在于：包括第一稱量傳感器、第二稱量傳感器、第一連接件、第二連接件、稱量處理器，第一稱量傳感器、第二稱量傳感器結構相同，第一連接件包括第一上連接端、第一左下連接端、第一右下連接端，第二連接件包括第二下連接端、第二左上連接端、第二右上連接端，第一上連接端與驅動機構連接，第一左下連接端與第一稱量傳感器的上端連接，第一右下連接端與第二稱量傳感器的上端連接，第二左上連接端與第一稱量傳感器的下端連接，第二右上連接端與第二稱量傳感器的下端連接，第二下連接端與晶種軸的上端連接，第一連接件、第二連接件均采用剛性材料，第一連接件、第二連接件相對平行位移，以使第一稱量傳感器、第二稱量傳感器同步形變，第一稱量傳感器包括第一輸入端子、第一輸出端子，第二稱量傳感器包括第二輸入端子、第二輸出端子，第一輸出端子和第二輸出端子并聯后，均通過導線與稱量處理器的輸入端子連接，第一輸入端子和第二輸入并聯后，端子均通過導線與稱量處理器的輸出端子連接，以將第一稱量傳感器、第二稱量傳感器的信號發送至稱量處理器進行合成處理，并顯示。

2.一種感應加熱直拉法生長單晶的單晶爐，其特征在于：包括驅動機構、爐體、晶種軸、輔助加熱裝置以及權利要求1所述的感應加熱直拉法生長單晶的稱量裝置，驅動機構安裝于爐體的頂端，所述晶種軸、輔助加熱裝置、感應加熱直拉法生長單晶的稱量裝置內置于爐體的腔室，所述感應加熱直拉法生長單晶的稱量裝置的第一上連接端與驅動機構連接，所述感應加熱直拉法生長單晶的稱量裝置的第二下連接端與晶種軸的上端連接，所述輔助加熱裝置包括發熱體、保溫體、第一支撐體、第二支撐體、坩堝、輔助加熱絲，所述發熱體由水冷銅線繞成螺旋狀，所述發熱體與交流電源連接，保溫體為一筒狀體，保溫體的上端面開口，保溫體內置于發熱體中，所述第一支撐體、第二支撐體高度可調，所述第一支撐體包括多個第一墊環體，多個第一墊環體同軸疊放一起，以組成第一支撐體，所述第一支撐體的下端固定在爐體的腔室的底部，所述保溫體置于第一支撐體的上端端面上，以通過第一支撐體調整保溫體的高度，所述第二支撐體包括多個第二墊環體，多個第二墊環體同軸疊放一起，以組成第二支撐體，所述第二支撐體的下端放置于保溫體內側底壁上，所述坩堝置于第二支撐體的上端端面上，以通過第二支撐體調整坩堝的高度，所述坩堝能夠收容熔體，坩堝由高導磁材料制成，以通過發熱體產生的磁場使坩堝本身發熱，輔助加熱絲水平纏繞于保溫體的外側環壁上，輔助加熱絲設置于保溫體中部偏下的位置，輔助加熱絲由高導磁材料制成，以通過發熱體產生的磁場使輔助加熱絲本身發熱，進而加熱與輔助加熱絲相應位置的坩堝側壁，晶種軸沿爐體的腔室上下方向延伸，晶種軸的上端相對的另一端為自由端。

3.如權利要求2所述的感應加熱直拉法生長單晶的單晶爐，其特征在于：晶種軸與坩堝體同軸設置。

4.如權利要求2所述的感應加熱直拉法生長單晶的單晶爐，其特征在于：保溫體的下端面設置有第一散熱孔，每一個第一墊環體的端面設有第二散熱孔，第二散熱孔與第一散熱孔同軸設置，每一個第二墊環體的端面設有第三散熱孔，第三散熱孔與第一散熱孔同軸設置。

5.如權利要求2所述的感應加熱直拉法生長單晶的單晶爐，其特征在于：所述保溫體的軸線與發熱體的軸線重合，所述坩堝與保溫體同軸設置。

6.如權利要求2所述的感應加熱直拉法生長單晶的單晶爐，其特征在于：在坩堝的外壁與保溫體內壁之間的空間填充有氧化鋯粉料。