[實(shí)用新型]一種垂直結(jié)構(gòu)LED晶圓

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201822123477.5
• 申請(qǐng)日: 2018-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN209282230U
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊振大;鄭洪仿;黃經(jīng)發(fā)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山市國(guó)星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/24
• 分類號(hào): H01L33/24;H01L33/00;H01L33/44;H01L33/46
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

1.一種垂直結(jié)構(gòu)LED晶圓，其特征在于，包括：

藍(lán)寶石襯底；

設(shè)置在藍(lán)寶石襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置在藍(lán)寶石襯底上的緩沖層、第一半導(dǎo)體層、有源層、第二半導(dǎo)體層和電流擴(kuò)展層，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)還包括溝道槽，所述溝道槽刻蝕至第一半導(dǎo)體層，其寬度為10-100μm；

設(shè)置在溝道槽側(cè)壁上的絕緣層；

設(shè)置在溝道槽內(nèi)的第一金屬層，所述第一金屬層與第一半導(dǎo)體層連接；

設(shè)置在第一金屬層上的第二金屬層；

設(shè)置在第二金屬層和電流擴(kuò)展層上的第三金屬層；

設(shè)置在硅襯底上的焊料層，其中，所述焊料層與第三金屬層共晶形成一整體，以將硅襯底連接在發(fā)光結(jié)構(gòu)上。

2.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED晶圓，其特征在于，所述緩沖層由AlN制成，用于吸收激光的能量。

3.如權(quán)利要求2所述的垂直結(jié)構(gòu)LED晶圓，其特征在于，所述第一金屬層由具有粘附性的金屬制成，用于承接激光剝離時(shí)產(chǎn)生的沖擊力，其厚度為1-20000埃。

4.如權(quán)利要求3所述的垂直結(jié)構(gòu)LED晶圓，其特征在于，所述第一金屬層由Cr、Ni、Pt、Ti、Al、Cu、Ag和Au中的一種制成。

5.如權(quán)利要求3所述的垂直結(jié)構(gòu)LED晶圓，其特征在于，所述第二金屬層和第三金屬層均由Cr、Pt、Au、Ni、Al、Sn、Ti、Cu和Ag中的一種制成，其中，第二金屬層用于填充溝道槽，第三金屬層用于與第二金屬層形成共晶，以將焊料層連接在發(fā)光結(jié)構(gòu)上。

6.如權(quán)利要求5所述的垂直結(jié)構(gòu)LED晶圓，其特征在于，所述焊料層由Cr、Ti、Pt、Ni、Au、Sn和Ag中的一種制成，用于將硅襯底連接在發(fā)光結(jié)構(gòu)上。

7.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED晶圓，其特征在于，所述絕緣層從溝道槽的側(cè)壁延伸至電流擴(kuò)展層的表面和第一半導(dǎo)體層的表面。