[實用新型]基于GNRs可飽和吸收體的調Q固體脈沖激光器

有效

• 申請號: 201822120413.X
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN209029673U
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: 常建華;戴騰飛;劉海洋;戴瑞
• 申請（專利權）人: 南京信息工程大學
• 主分類號: H01S3/098
• 分類號: H01S3/098;H01S3/16;H01S3/081
• 代理公司: 南京鐘山專利代理有限公司 32252
• 代理人: 戴朝榮

1.基于GNRs可飽和吸收體的調Q固體脈沖激光器，其特征是：包括半導體激光器(1)、耦合透鏡(2)、平凹鏡(3)、Cr:LiSAF晶體(4)、反射鏡(5)、GNRs可飽和吸收體(6)和輸出鏡(7)，帶尾纖輸出的半導體激光器(1)能產生射向耦合透鏡(2)的連續光，連續光透過耦合透鏡(2)后，射向平凹鏡(3)的平面，然后透過平凹鏡(3)入射到Cr:LiSAF晶體(4)中，經過Cr:LiSAF晶體(4)增益后，連續光變為脈沖激光射向反射鏡(5)，反射鏡(5)將脈沖激光反射并原路返回，脈沖激光在Cr:LiSAF晶體(4)中經過，加強光強，從Cr:LiSAF晶體(4)射出后，射到平凹鏡(3)的凹面，經平凹鏡(3)反射至GNRs可飽和吸收體(6)，透過GNRs可飽和吸收體(6)后射向輸出鏡(7)，最后由輸出鏡(7)輸出鎖模脈沖激光。

2.根據權利要求1所述的基于GNRs可飽和吸收體的調Q固體脈沖激光器，其特征是：所述的半導體激光器(1)發射的連續光中心波長為671nm。

3.根據權利要求2所述的基于GNRs可飽和吸收體的調Q固體脈沖激光器，其特征是：所述的平凹鏡(3)平面面向半導體激光器(1)，耦合透鏡(2)位于半導體激光器(1)和平凹鏡(3)之間，平凹鏡(3)平面鍍有671nm增透膜和860nm高反膜，凹面鍍有860nm高反膜。

4.根據權利要求3所述的基于GNRs可飽和吸收體的調Q固體脈沖激光器，其特征是：所述的Cr:LiSAF晶體(4)面向平凹鏡(3)的一面鍍有鍍有671nm增透膜和860nm高反膜，背向平凹鏡(3)的一面鍍有860nm的增透膜，所述的Cr:LiSAF晶體(4)能將671nm連續光增益為860nm脈沖激光。

5.根據權利要求4所述的基于GNRs可飽和吸收體的調Q固體脈沖激光器，其特征是：所述的反射鏡(5)鍍有860nm高反膜。

6.根據權利要求5所述的基于GNRs可飽和吸收體的調Q固體脈沖激光器，其特征是：所述的輸出鏡(7)接收光線的一面鍍有860nm的增透膜。

7.根據權利要求6所述的基于GNRs可飽和吸收體的調Q固體脈沖激光器，其特征是：所述的輸出鏡(7)輸出的鎖模脈沖激光為860nm脈沖激光。

8.根據權利要求7所述的基于GNRs可飽和吸收體的調Q固體脈沖激光器，其特征是：所述的輸出鏡(7)上的860nm的增透膜的透過率是5%。