[實用新型]一種應用于芯片散熱的金屬微通道熱沉結構

有效

• 申請號: 201822115274.1
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN209418488U
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發明（設計）人: 馬盛林;夏雁鳴;胡鑫欣;蔡涵;陳兢;李軒楊
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01L23/427
• 分類號: H01L23/427;B81C3/00
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 張松亭;張迪

1.一種應用于芯片散熱的金屬微通道熱沉結構，其特征在于包括：上下層疊設置的雙層金屬襯底；

其中位于上層的第一金屬襯底在朝向第二金屬襯底的一面，具有第一半開放式平面微通道；所述第一半開放式平面微通道朝向第二金屬襯底的一側為開口面，并且其沿著平行于第一金屬襯底上表面的方向延伸；所述第二金屬襯底朝向第一金屬襯底的一面，具有垂直貫穿微通道；所述垂直貫穿微通道沿著平行于第二金屬襯底側表面的方向貫穿所述第二金屬襯底；

所述第一金屬襯底遠離第二金屬襯底的一面與射頻芯片導熱連接；所述第二金屬襯底遠離第一金屬襯底的一面與鋁合金襯底連接；

所述鋁合金襯底朝向第二金屬襯底的一面具有第二半開放式平面微通道；所述垂直貫穿微通道分別連通所述第一半開放式平面微通道、第二半開放式平面微通道形成三維垂直結構微流道系統。

2.根據權利要求1所述的一種應用于芯片散熱的金屬微通道熱沉結構，其特征在于：所述第一金屬襯底、第二金屬的材質包括但不限于鎢或鉬或鈦或鋁或銅。

3.根據權利要求1所述的一種應用于芯片散熱的金屬微通道熱沉結構，其特征在于：所述半開放式平面微通道為直線型或擾流柱型或翅片型。

4.根據權利要求1所述的一種應用于芯片散熱的金屬微通道熱沉結構，其特征在于：所述垂直貫穿微通道為矩形或圓形。