[實用新型]一種可穿戴光電一體化自閉癥治療儀有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201822101115.6 | 申請日： | 2018-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN209564522U | 公開（公告）日： | 2019-11-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 童志前;韓鴻賓 | 申請（專利權(quán)）人： | 首都醫(yī)科大學(xué);首都醫(yī)科大學(xué)腦重大疾病研究中心（北京腦重大疾病研究院） |
| 主分類號： | A61N5/06 | 分類號： | A61N5/06;A61N2/02 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人： | 王海燕 |
| 地址： | 100000 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 治療儀 探頭 光照 光子照射 自閉癥 本實用新型 光電一體化 操作面板 可穿戴 頭盔 太陽穴 頂骨 神經(jīng)干細(xì)胞 低頻刺激 光照技術(shù) 激光安全 神經(jīng)核團(tuán) 頭盔本體 照射效果 電聯(lián)接 電源電 光照射 連續(xù)波 前額區(qū) 光子 按鈕 腦部 小腦 治療 聯(lián)接 穿透 照射 科研成果 再生 恢復(fù) | ||
1.一種可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：包括治療頭盔，所述治療頭盔的頭盔本體上設(shè)置有與電源電聯(lián)接的操作面板和納米多光子照射區(qū)，所述納米多光子照射區(qū)包括前額區(qū)光照探頭、頂骨區(qū)光照探頭、太陽穴區(qū)光照探頭和小腦部位光照探頭，所述操作面板上設(shè)置有分別與所述納米多光子照射區(qū)的各個區(qū)光照探頭電聯(lián)接的光照射按鈕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述前額區(qū)光照探頭設(shè)置在所述頭盔本體上對應(yīng)人體前額區(qū)的位置，且所述前額區(qū)光照探頭采用波長為670±20nm的納米多光子照射。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述頂骨區(qū)光照探頭設(shè)置在所述頭盔本體上對應(yīng)人體頂骨區(qū)顱骨的位置，且所述頂骨區(qū)光照探頭采用波長為670±20nm的納米多光子照射。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述太陽穴區(qū)光照探頭設(shè)置在所述頭盔本體上對應(yīng)人體頭部兩側(cè)太陽穴的位置，且所述太陽穴區(qū)光照探頭采用波長為650±20nm的納米多光子照射。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述小腦部位光照探頭設(shè)置在所述頭盔本體上對應(yīng)人體頭部小腦部位顱骨的位置，且所述小腦部位光照探頭采用波長為800±20nm的納米多光子照射。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述頭盔本體上還設(shè)置有人耳甲區(qū)磁貼片，所述人耳甲區(qū)磁貼片包括與低頻刺激器連接的左耳低頻刺激磁貼和右耳低頻刺激磁貼；所述低頻刺激器與所述電源電聯(lián)接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述低頻刺激器通過所述操作面板上的低頻刺激按鈕與所述電源電聯(lián)接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述左耳低頻刺激磁貼和右耳低頻刺激磁貼中均包括相互貼合連接的磁貼和導(dǎo)電貼片。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述低頻刺激器采用低頻直流波，該低頻直流波為連續(xù)波，且該低頻直流波的頻率為2Hz或40Hz，波寬為0.2ms，電刺激強(qiáng)度為1-4mA。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述電源為可充電5V鋰電池，且所述頭盔本體中還設(shè)置有與所述電源電聯(lián)接的38度溫度控制過載保護(hù)器。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于首都醫(yī)科大學(xué);首都醫(yī)科大學(xué)腦重大疾病研究中心（北京腦重大疾病研究院），未經(jīng)首都醫(yī)科大學(xué);首都醫(yī)科大學(xué)腦重大疾病研究中心（北京腦重大疾病研究院）許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201822101115.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
