[實(shí)用新型]一種圖像傳感單元、圖像傳感器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201822090984.3
• 申請(qǐng)日: 2018-12-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209216974U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 臧凱;李爽;馬志潔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市靈明光子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 唐致明;洪銘福

1.一種圖像傳感單元，其特征在于，所述圖像傳感單元由下至上依次設(shè)置有襯底、電路層、氧化硅層和硅探測(cè)層，所述硅探測(cè)層的四周設(shè)置有側(cè)壁反射墻，所述圖像傳感單元中設(shè)置有陷光結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感單元，其特征在于，所述圖像傳感單元的上表面設(shè)置有增透結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感單元，其特征在于，所述增透結(jié)構(gòu)為設(shè)置在所述硅探測(cè)層上方的膜結(jié)構(gòu)，所述膜結(jié)構(gòu)包括至少兩種折射率不同的薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感單元，其特征在于，所述陷光結(jié)構(gòu)和/或所述增透結(jié)構(gòu)為倒金字塔結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感單元，其特征在于，所述陷光結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述圖像傳感單元的上表面和/或所述氧化硅層的上方和/或所述氧化硅層的下方。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的圖像傳感單元，其特征在于，所述圖像傳感單元還包括微透鏡，所述微透鏡設(shè)置在所述硅探測(cè)層的上方。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的圖像傳感單元，其特征在于，所述圖像傳感單元包括SPAD或CMOS圖像傳感單元。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的圖像傳感單元，其特征在于，所述陷光結(jié)構(gòu)為納米級(jí)或微米級(jí)的凹凸結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感單元，其特征在于，所述凹凸結(jié)構(gòu)的分布方式包括四方密排分布、六方密排分布或者無(wú)規(guī)則分布。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的圖像傳感單元，其特征在于，所述側(cè)壁反射墻為深槽隔離結(jié)構(gòu)，所述深槽隔離結(jié)構(gòu)沿厚度方向貫穿所述硅探測(cè)層，所述深槽隔離結(jié)構(gòu)對(duì)射來(lái)的光線進(jìn)行來(lái)回反射。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感單元，其特征在于，所述深槽隔離結(jié)構(gòu)中填充有氧化硅、無(wú)定形硅、多晶硅或金屬。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的圖像傳感單元，其特征在于，所述圖像傳感單元還包括至少兩個(gè)外加電極，所述外加電極用于讀取信號(hào)和/或施加電壓，所述外加電極與所述硅探測(cè)層連接。

13.一種圖像傳感器，其特征在于，包括控制電路、讀出電路和多個(gè)權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的圖像傳感單元，所述控制電路的輸出端與所述圖像傳感單元的輸入端連接，所述圖像傳感單元的輸出端與所述讀出電路的輸入端連接。