[實用新型]高匹配度的高效晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池電極結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822090104.2
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN209087856U
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭小勇;易治凱;汪濤;王永謙
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇愛康能源研究院有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 江陰市揚子專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32309
• 代理人: 隋玲玲

1.一種高匹配度的高效晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池電極結(jié)構(gòu)，它包括N型晶體硅片（1），所述N型晶體硅片（1）的正面和背面均設(shè)有非晶硅本征層（2），其特征在于：所述正面的非晶硅本征層（2）的外側(cè)設(shè)有n型非晶硅摻雜層（3），所述n型非晶硅摻雜層（3）的外側(cè)設(shè)有n面TCO導(dǎo)電膜（5），所述n面TCO導(dǎo)電膜（5）的外側(cè)設(shè)有若干Ag電極（7）；所述背面的非晶硅本征層（2）外側(cè)設(shè)有p型非晶硅摻雜層（4），所述p型非晶硅摻雜層（4）的外側(cè)設(shè)有p面TCO導(dǎo)電膜（6），所述p面TCO導(dǎo)電膜（6）的外側(cè)設(shè)有若干Ag電極（7）；所述n面TCO導(dǎo)電膜（5）采用功函數(shù)低于p面TCO導(dǎo)電膜（6）的TCO作為透明導(dǎo)電減反射層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高匹配度的高效晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池電極結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述n面TCO導(dǎo)電膜（5）采用功函數(shù)為3.5~4.7eV的TCO作為透明導(dǎo)電減反射層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高匹配度的高效晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池電極結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述p面TCO導(dǎo)電膜（6）采用功函數(shù)為5.1~6.9eV的TCO作為透明導(dǎo)電減反射層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高匹配度的高效晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池電極結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述n面TCO導(dǎo)電膜（5）的厚度為70~110nm，所述p面TCO導(dǎo)電膜（6）的厚度為70~110nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高匹配度的高效晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池電極結(jié)構(gòu)，其特征在于: 所述非晶硅本征層（2）厚度為5~10nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高匹配度的高效晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池電極結(jié)構(gòu)，其特征在于: 所述n型非晶硅摻雜層（3）厚度為4~8nm，所述p型非晶硅摻雜層（4）的厚度為7~15nm。