[實用新型]多步沉積的高效晶硅異質結太陽能電池結構有效
| 申請號: | 201822090103.8 | 申請日: | 2018-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN209087855U | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發明(設計)人: | 郭小勇;易治凱;汪濤;王永謙 | 申請(專利權)人: | 江蘇愛康能源研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 江陰市揚子專利代理事務所(普通合伙) 32309 | 代理人: | 隋玲玲 |
| 地址: | 215600 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非晶硅本征層 多步沉積 摻雜層 非晶硅 異質結太陽能電池 本實用新型 導電膜 晶硅 光電轉換效率 缺陷態密度 太陽能電池 鈍化效果 晶硅表面 最外層 電極 沉積 多層 兩層 薄膜 背面 | ||
1.一種多步沉積的高效晶硅異質結太陽能電池結構,它包括N型晶體硅片(1),所述N型晶體硅片(1)的正面和背面均設有非晶硅本征層,所述正面的非晶硅本征層的外側設有n型非晶硅摻雜層(6),所述背面的非晶硅本征層的外側設有p型非晶硅摻雜層(7),所述n型非晶硅摻雜層(6)和p型非晶硅摻雜層(7)的外側均設有TCO導電膜(8),所述TCO導電膜(8)的外側均設有若干Ag電極(9),其特征在于:所述非晶硅本征層設有多層,相鄰兩層非晶硅本征層之間均設有H等離子體處理層,正面最外層的非晶硅本征層和n型非晶硅摻雜層(6)之間設有H等離子體處理層,背面最外層的非晶硅本征層和p型非晶硅摻雜層(7)之間設有H等離子體處理層。
2.根據權利要求1所述的一種多步沉積的高效晶硅異質結太陽能電池結構,其特征在于:所述非晶硅本征層的總厚度為6~12nm,每層非晶硅本征層的厚度大于2nm。
3.根據權利要求1所述的一種多步沉積的高效晶硅異質結太陽能電池結構,其特征在于: 所述n型非晶硅摻雜層(6)的厚度為4~8nm,所述p型非晶硅摻雜層(7)的厚度為7~15nm。
4.根據權利要求1所述的一種多步沉積的高效晶硅異質結太陽能電池結構,其特征在于:所述TCO導電膜(8)厚度為70~110nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





