[實(shí)用新型]單晶爐用導(dǎo)流筒內(nèi)屏

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201822090036.X
• 申請(qǐng)日: 2018-12-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209260253U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖寄喬;石磊;李軍;劉學(xué)文;譚周建;李丙菊;王躍軍;龔玉良
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 湖南金博碳素股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C30B15/14
• 分類(lèi)號(hào): C30B15/14;C30B29/06
• 代理公司: 益陽(yáng)市銀城專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 43107
• 代理人: 陳禧

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種可調(diào)節(jié)導(dǎo)流筒內(nèi)屏高度的單晶爐用導(dǎo)流筒內(nèi)屏，其特征是它包括上內(nèi)屏、下內(nèi)屏，上內(nèi)屏下部設(shè)有上內(nèi)屏連接部，下內(nèi)屏上部設(shè)有下內(nèi)屏連接部，均為軸向直壁段，上內(nèi)屏連接部的外徑為下內(nèi)屏連接部的內(nèi)徑，上內(nèi)屏連接部可在下內(nèi)屏連接部?jī)?nèi)滑動(dòng)；本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，導(dǎo)流筒的內(nèi)屏采用模塊化組裝，具有高度可調(diào)的特點(diǎn)，可滿足不同熱場(chǎng)的需要；同時(shí)，當(dāng)導(dǎo)流筒某一零部件出現(xiàn)損壞后，還能單獨(dú)更換，進(jìn)一步節(jié)約了成本，且內(nèi)屏設(shè)有一段軸向直壁段，有利于晶體散熱，可加大晶體生長(zhǎng)所需的溫度梯度，提高晶體生長(zhǎng)速度。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種單晶爐熱場(chǎng)零件，具體地說(shuō)是一種單晶爐用導(dǎo)流筒，特別是涉及一種可調(diào)節(jié)導(dǎo)流筒內(nèi)屏高度的單晶爐用導(dǎo)流筒內(nèi)屏。

背景技術(shù)

導(dǎo)流筒是單晶硅拉制爐熱場(chǎng)系統(tǒng)的關(guān)鍵元件之一，主要用于控制熱場(chǎng)的軸向溫度梯度和引導(dǎo)氬氣流。導(dǎo)流筒阻隔單晶爐體以及熔硅對(duì)晶體的熱輻射，利于晶體散熱，形成晶體生長(zhǎng)所需的溫度梯度，以提高晶體生長(zhǎng)速度；引導(dǎo)由單晶爐頂從上向下吹的氬氣集中地噴吹到固液界面附近，維持其清潔度，同時(shí)更加有利于晶體散熱，加大晶體生長(zhǎng)所需的溫度梯度，以提高晶體生長(zhǎng)速度；對(duì)高溫硅熔體起保溫作用，節(jié)約能源。目前，導(dǎo)流筒的外屏一般采用碳/碳復(fù)合材料，其具有高強(qiáng)度、耐沖刷、壽命長(zhǎng)、安全可靠等特點(diǎn)。雖說(shuō)內(nèi)屏一般為石墨材質(zhì)，但由于其所處環(huán)境清潔、安全，也有較長(zhǎng)的使用壽命。

近幾年，單晶爐熱場(chǎng)大尺寸化的速度越來(lái)越快，為了盡可能的利用現(xiàn)有設(shè)備，單晶廠商充分挖掘熱場(chǎng)潛能，通過(guò)新材料的應(yīng)用，不斷升級(jí)擴(kuò)容，增加投料量。其中一種方法是通過(guò)增加軸向空間來(lái)加高坩堝。由于導(dǎo)流筒與坩堝屬匹配關(guān)系，因此，導(dǎo)流筒的高度也要隨坩堝的增高而增高。這樣，導(dǎo)流筒的外屏與內(nèi)屏往往在失效前就因熱場(chǎng)升級(jí)擴(kuò)容而遭淘汰，形成了巨大的浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種可調(diào)節(jié)導(dǎo)流筒內(nèi)屏高度的單晶爐用導(dǎo)流筒內(nèi)屏。

本實(shí)用新型是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)其發(fā)明目的的，一種單晶爐用導(dǎo)流筒內(nèi)屏，它包括上內(nèi)屏、下內(nèi)屏，上內(nèi)屏下部設(shè)有上內(nèi)屏連接部，下內(nèi)屏上部設(shè)有下內(nèi)屏連接部，均為軸向直壁段，上內(nèi)屏連接部的外徑為下內(nèi)屏連接部的內(nèi)徑，上內(nèi)屏連接部可在下內(nèi)屏連接部?jī)?nèi)滑動(dòng)。

為單晶爐內(nèi)氣氛的順暢流動(dòng)，本實(shí)用新型上內(nèi)屏的非法蘭端設(shè)有倒圓角。

由于采用上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型較好的實(shí)現(xiàn)了發(fā)明目的，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，導(dǎo)流筒的內(nèi)屏采用模塊化組裝，具有高度可調(diào)的特點(diǎn)，可滿足不同熱場(chǎng)的需要；同時(shí)，當(dāng)導(dǎo)流筒某一零部件出現(xiàn)損壞后，還能單獨(dú)更換，進(jìn)一步節(jié)約了成本，且內(nèi)屏設(shè)有一段軸向直壁段，有利于晶體散熱，可加大晶體生長(zhǎng)所需的溫度梯度，提高晶體生長(zhǎng)速度。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型上內(nèi)屏1的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本實(shí)用新型下內(nèi)屏4的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

由圖1、圖2、圖3可知，一種單晶爐用導(dǎo)流筒內(nèi)屏，它包括上內(nèi)屏1、下內(nèi)屏4，上內(nèi)屏1下部設(shè)有上內(nèi)屏連接部11，下內(nèi)屏4上部設(shè)有下內(nèi)屏連接部41，均為軸向直壁段，上內(nèi)屏連接部11的外徑為下內(nèi)屏連接部41的內(nèi)徑，上內(nèi)屏連接部11可在下內(nèi)屏連接部41內(nèi)滑動(dòng)。

為單晶爐內(nèi)氣氛的順暢流動(dòng)，本實(shí)用新型上內(nèi)屏1的非法蘭端設(shè)有倒圓角。

當(dāng)導(dǎo)流筒的高度隨坩堝的增高而需要增高時(shí)，外屏也采用模塊化組裝，使其高度可調(diào)；本實(shí)施例的內(nèi)屏可在一定范圍內(nèi)跟隨外屏的高度調(diào)整，這樣，可滿足不同熱場(chǎng)的需要。

本實(shí)用新型其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，導(dǎo)流筒的內(nèi)屏采用模塊化組裝，具有高度可調(diào)的特點(diǎn)，可滿足不同熱場(chǎng)的需要；同時(shí)，當(dāng)導(dǎo)流筒某一零部件出現(xiàn)損壞后，還能單獨(dú)更換，進(jìn)一步節(jié)約了成本，且內(nèi)屏設(shè)有一段軸向直壁段，有利于晶體散熱，可加大晶體生長(zhǎng)所需的溫度梯度，提高晶體生長(zhǎng)速度。