[實用新型]柵極集成電阻結構和功率器件有效
| 申請號： | 201822086251.2 | 申請日： | 2018-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN209282198U | 公開（公告）日： | 2019-08-20 |
| 發明（設計）人： | 俞義長;戚麗娜;趙善麒 | 申請（專利權）人： | 江蘇宏微科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 黃杭飛 |
| 地址： | 213022 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶硅 集成電阻 接觸孔 本實用新型 功率器件 橫向溝槽 第一端 電阻區 延長段 段相 沉積 第二金屬層 第一金屬層 制造工藝 溝槽型 平坦化 元胞區 襯底 制備 | ||
【權利要求書】：
1.一種柵極集成電阻結構，其特征在于，在襯底上開設的元胞區的多個橫向溝槽均延長至電阻區，以在所述電阻區形成多個溝槽延長段，并在每個所述橫向溝槽內沉積多晶硅，所述柵極集成電阻結構包括：
在每個所述溝槽延長段內沉積的多晶硅段；
從每個所述多晶硅段的第一端和第二端分別引出的接觸孔；
通過從每個所述多晶硅段的第一端引出的接觸孔與該多晶硅段相連接的第一金屬層；
通過從每個所述多晶硅段的第二端引出的接觸孔與該多晶硅段相連接的第二金屬層。
2.根據權利要求1所述的柵極集成電阻結構，其特征在于，所述多晶硅經平坦化處理，以使多晶硅的上表面與所述襯底的上表面處于同一高度。
3.根據權利要求2所述的柵極集成電阻結構，其特征在于，每個所述多晶硅段互不連通。
4.根據權利要求2所述的柵極集成電阻結構，其特征在于，每個所述溝槽延長段的兩端分別開設豎向溝槽，并在每個所述豎向溝槽內沉積多晶硅，以使每個所述多晶硅段的第一端相連通、每個所述多晶硅段的第二端相連通。
5.一種功率器件，其特征在于，包括根據權利要求1-4中任一項所述的柵極集成電阻結構。
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