[實用新型]一種新型聲表面波或橫波激勵體聲波微波器件芯片結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201822082080.6 | 申請日: | 2018-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN209017001U | 公開(公告)日: | 2019-06-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 謝波瑋;丁發(fā)柱;古宏偉;商紅靜;董澤斌;黃大興;許文娟;蘇廣輝 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院電工研究所;鄭州科之誠機床工具有限公司 |
| 主分類號: | H03H9/02 | 分類號: | H03H9/02;H01L41/02;H01L41/08 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人: | 程華 |
| 地址: | 100000 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 壓電材料 聲波 聲表面波 微波器件 芯片結(jié)構(gòu) 激勵體 橫波 芯片電路 本實用新型 第二電極 第一電極 芯片基體 填充 信號輸出端 信號輸入端 插入損耗 傳輸損耗 品質(zhì)因數(shù) 微波 | ||
1.一種新型聲表面波或橫波激勵體聲波微波器件芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述芯片結(jié)構(gòu)包括:聲表面波或橫波激勵體聲波微波器件芯片電路和芯片基體;
所述芯片基體上設(shè)置有第一凹槽和第二凹槽,所述第一凹槽內(nèi)填充有第一壓電材料,所述第一壓電材料上設(shè)置有第一電極,所述第一電極的一端和所述第一壓電材料相連,所述第一電極的另一端和所述芯片電路的信號輸入端相連;
所述第二凹槽內(nèi)填充有第二壓電材料,所述第二壓電材料上設(shè)置有第二電極,所述第二電極的一端和所述第二壓電材料相連,所述第二電極的另一端和所述芯片電路的信號輸出端相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型聲表面波或橫波激勵體聲波微波器件芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述芯片基體材料為金剛石材料或沉積金剛石薄膜的硅材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型聲表面波或橫波激勵體聲波微波器件芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一凹槽和所述第二凹槽均含有多個凹槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型聲表面波或橫波激勵體聲波微波器件芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,各所述凹槽間的距離相同或不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的新型聲表面波或橫波激勵體聲波微波器件芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凹槽的形狀、尺寸和/或深度能夠改變。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型聲表面波或橫波激勵體聲波微波器件芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一電極和所述第二電極的形狀和/或尺寸能夠調(diào)整。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型聲表面波或橫波激勵體聲波微波器件芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一電極和所述第二電極均采用導(dǎo)電金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型聲表面波或橫波激勵體聲波微波器件芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述芯片基體下設(shè)置有襯底,用于支撐所述芯片結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型聲表面波或橫波激勵體聲波微波器件芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一電極為輸入電極,采取點焊引線封裝,所述第二電極為輸出電極,采取點焊引線封裝。
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