[實用新型]一種適用于高頻功率器件的寬帶匹配電路

有效

• 申請號: 201822081134.7
• 申請日: 2018-12-12
• 公開（公告）號: CN209233803U
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 楊杰;陳強;王嘉偉;南帥;張衛平;吳杰
• 申請（專利權）人: 江蘇博普電子科技有限責任公司
• 主分類號: H03H11/28
• 分類號: H03H11/28
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

本實用新型涉及一種適用于高頻功率器件的寬帶匹配電路，寬帶匹配電路工作頻率在5Ghz?6Ghz之間,包括封裝管殼，封裝管殼內部設置有GaN芯片，GaN芯片兩端分別設置有輸入端兩級匹配電路和輸出端兩級匹配電路，輸入端兩級匹配電路和輸出端兩級匹配電路均包括第一級匹配電路和第二級匹配電路，第一級匹配電路是L型匹配電路，第二級匹配電路是四分之一波長阻抗變換線。本實用新型提供一種集成化高、匹配性能好、功率密度高、寬帶大、效率高，適用于高頻功率器件的寬帶匹配電路。

技術領域

本實用新型涉及電路技術領域，尤其涉及功率放大器，具體涉及一種適用于高頻功率器件的寬帶匹配電路。

背景技術

GaN微波功率器件有著功率密度高，效率高，工作頻率更高等特點，在軍品和民品市場方面，相比于其他工藝的產品具有較大的優勢，因此得到了廣泛應用。目前由于微型化、大 帶寬的要求，在高頻原本就難匹配的情況下，要實現微波功率器件功率密度高、帶寬大、效率高更是難上加難。

因此需要研發一種集成化高、匹配性能好、功率密度高、帶寬大、效率高，適用于高頻功率器件的寬帶匹配電路。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題是克服現有技術的缺陷，提供一種集成化高、匹配性能好、功率密度高、寬帶大、效率高，適用于高頻功率器件的寬帶匹配電路。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案為：一種適用于高頻功率器件的寬帶匹配電路，寬帶匹配電路工作頻率在5Ghz-6Ghz之間,包括封裝管殼，封裝管殼內部設置有GaN芯片，GaN芯片兩端分別設置有輸入端兩級匹配電路和輸出端兩級匹配電路，輸入端兩級匹配電路和輸出端兩級匹配電路均包括第一級匹配電路和第二級匹配電路，第一級匹配電路是L型匹配電路，第二級匹配電路是四分之一波長阻抗變換線。

本實用新型一個較佳實施例中，L型匹配電路包括串聯電感和對地電容。

本實用新型一個較佳實施例中，四分之一波長阻抗變換線是以氧化鋁為襯底的微帶線，能在5Ghz-6Ghz可實現10Ω至50Ω的阻抗變換。

本實用新型一個較佳實施例中，串聯電感由鍵合金絲組成。

本實用新型一個較佳實施例中，對地電容采用可調單層電容。

本實用新型一個較佳實施例中，四分之一波長阻抗變換線的特征阻抗為22.3Ω，電長度為90°。

本實用新型一個較佳實施例中，輸入端兩級匹配電路包括第一L型匹配電路中的第一串聯電感和第一對地電容，以及輸入端四分之一波長阻抗變換線；輸出端兩級匹配電路包括第二L型匹配電路中的第二串聯電感和第二對地電容，以及輸出端四分之一波長阻抗變換線。

本實用新型一個較佳實施例中，適用于高頻功率器件的寬帶匹配電路的控制方法，信號從封裝管殼的輸入端引入，傳入輸入端四分之一波長阻抗變換線的第一輸入端，然后從輸入端四分之一波長阻抗變換線的第一輸出端輸出，依次經過第一串聯電感、第一對地電容、第一鍵合金絲到達GaN芯片輸入端；接著從GaN芯片輸出端經過第二串聯電感、第二對地電容、第二鍵合金絲傳入輸出端四分之一波長阻抗變換線的第二輸入端，再通過從輸出端四分之一波長阻抗變換線的第二輸出端與封裝管殼的輸出端連接輸出。

本實用新型解決了背景技術中存在的缺陷，本實用新型的有益效果是：

本實用新型的一種適用于高頻功率器件的寬帶匹配電路，兩級匹配電路可以增加器件工作帶寬，解決GaN芯片在高頻下實部阻抗小、難于寬帶匹配的問題，同時由于第二級微帶線為固定阻抗變換，因此只需調試第一級匹配電路，減少工作量、便于生產；四分之一波長阻抗變換線可以有效減少信號傳輸過程中的損耗，增加回波損耗，提高增益，且線寬較寬，不會產生電遷移從而保障了器件的長期可靠性；最終實現一種適用于高頻功率器件的寬帶匹配電路。

附圖說明