[實(shí)用新型]一種在線添加高熔點(diǎn)金屬源的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822080852.2
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN209906869U
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐義;岳志遠(yuǎn)
• 申請（專利權(quán)）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/06
• 代理公司: 11250 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 朱靜謙

1.一種在線添加高熔點(diǎn)金屬源的裝置，其特征在于，包括：

第一承載結(jié)構(gòu)(4)，內(nèi)裝有待揮發(fā)的高熔點(diǎn)金屬源，設(shè)置于處于真空環(huán)境的第一腔室(1)中；

第二承載結(jié)構(gòu)(3)，通過連通管(5)與所述第一承載結(jié)構(gòu)(4)連通，用于向所述第一承載結(jié)構(gòu)(4)中在線添加液態(tài)的所述高熔點(diǎn)金屬源，且設(shè)置于與所述第一腔室(1)隔絕的第二腔室(2)中；所述連通管(5)具有適于存儲所述高熔點(diǎn)金屬源的凹陷區(qū)；

線圈(8)，繞設(shè)于所述第二承載結(jié)構(gòu)(3)和所述連通管(5)周緣，所述線圈(8)具有在通入交變電流后加熱所述第二承載結(jié)構(gòu)(3)內(nèi)的所述高熔點(diǎn)金屬源，并將所述高熔點(diǎn)金屬源液化后在自身重力作用和真空狀態(tài)下自所述第二承載結(jié)構(gòu)(3)流入所述第一承載結(jié)構(gòu)(4)中的通電狀態(tài)，和在所述線圈(8)斷電后液態(tài)的所述高熔點(diǎn)金屬源固化在所述凹陷區(qū)以封堵所述連通管(5)的斷電狀態(tài)，所述第二承載結(jié)構(gòu)(3)向所述第一承載結(jié)構(gòu)(4)中在線添加所述高熔點(diǎn)金屬源時(shí)，所述第二承載結(jié)構(gòu)(3)的液位高于所述連通管(5)的最高點(diǎn)設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在線添加高熔點(diǎn)金屬源的裝置，其特征在于，所述連通管(5)包括位于所述第一腔室中的第一部分以及位于所述第二腔室中的第二部分，所述線圈(8)繞設(shè)于所述連通管(5)的第二部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的在線添加高熔點(diǎn)金屬源的裝置，其特征在于，所述第二承載結(jié)構(gòu)(3)為坩堝，所述線圈(8)沿周向繞設(shè)于所述第二承載結(jié)構(gòu)(3)的外壁上，并將所述第二承載結(jié)構(gòu)(3)的周緣覆蓋。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在線添加高熔點(diǎn)金屬源的裝置，其特征在于，所述連通管(5)的兩端分別與所述第一承載結(jié)構(gòu)(4)的頂端以及所述第二承載結(jié)構(gòu)(3)的底端連通設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的在線添加高熔點(diǎn)金屬源的裝置，其特征在于，所述連通管(5)為水平設(shè)置的S型，所述連通管(5)的最低點(diǎn)靠近所述第二承載結(jié)構(gòu)(3)設(shè)置，所述連通管(5)的最高點(diǎn)靠近所述第一承載結(jié)構(gòu)(4)設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的在線添加高熔點(diǎn)金屬源的裝置，其特征在于，所述第二承載結(jié)構(gòu)(3)的底端高于所述第一承載結(jié)構(gòu)(4)的頂端設(shè)置，且所述連通管(5)的最高點(diǎn)高于所述第二承載結(jié)構(gòu)(3)的底端設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在線添加高熔點(diǎn)金屬源的裝置，其特征在于，所述第二腔室(2)的外壁與所述第一腔室(1)的外壁連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在線添加高熔點(diǎn)金屬源的裝置，其特征在于，所述第二腔室(2)的內(nèi)壁分布有水冷管路。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在線添加高熔點(diǎn)金屬源的裝置，其特征在于，所述第二腔室(2)上與所述第二承載結(jié)構(gòu)(3)的開口相對應(yīng)位置處設(shè)置有填料口以及與所述填料口適配的蓋體(7)，所述蓋體(7)內(nèi)壁上設(shè)置有水冷管路。

10.根據(jù)權(quán)利要求1－9任一所述的在線添加高熔點(diǎn)金屬源的裝置，其特征在于，所述第二腔室(2)上設(shè)置有用于與真空系統(tǒng)連接的真空接口(6)。