[實(shí)用新型]電磁加熱電路和電磁加熱器具有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201822075812.9 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN209806111U | 公開(公告)日: | 2019-12-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫鵬剛;趙禮榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江紹興蘇泊爾生活電器有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05B6/06 | 分類號(hào): | H05B6/06 |
| 代理公司: | 11205 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 榮甜甜;劉芳 |
| 地址: | 312017 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 波形變換電路 微處理單元 輸出端 電平轉(zhuǎn)換電路 推挽電路 電磁加熱電路 電磁加熱器具 主回路 本實(shí)用新型 輸入端連接 工作狀況 瞬時(shí)電流 輸入端 小功率 導(dǎo)通 關(guān)斷 | ||
本實(shí)用新型提供一種電磁加熱電路(100)和電磁加熱器具(10)。該電磁加熱電路(100)包括主回路(100’)、微處理單元(101)、電平轉(zhuǎn)換電路(102)、波形變換電路(103)、推挽電路(104)和IGBT模塊(105)。其中,微處理單元(101)的第一輸出端與電平轉(zhuǎn)換電路(102)連接,微處理單元(101)的第二輸出端與波形變換電路(103)連接,推挽電路(104)的輸入端分別與電平轉(zhuǎn)換電路(102)和波形變換電路(103)連接,推挽電路(104)的輸出端與IGBT模塊(105)的輸入端連接,IGBT模塊(105)的輸出端與主回路(100’)連接,微處理單元(101)通過控制波形變換電路(103)的導(dǎo)通或關(guān)斷,實(shí)現(xiàn)了電磁加熱器具(10)小功率工作時(shí)大幅度降低了IGBT模塊(105)的瞬時(shí)電流,改善了IGBT模塊(105)的工作狀況。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電磁爐技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種電磁加熱電路和電磁加熱器具。
背景技術(shù)
電磁加熱電路,可以利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)化成熱能,對(duì)待加熱設(shè)備進(jìn)行加熱。電磁加熱電路應(yīng)用領(lǐng)域較為廣泛,如電飯煲、電高壓鍋、豆?jié){機(jī)、咖啡機(jī)、攪拌機(jī)等各種需要加熱功能的電磁加熱器具中。
通常,當(dāng)電磁加熱器具處于大功率加熱時(shí),現(xiàn)有電磁加熱電路中,在絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模塊的漏極上的電壓過零時(shí),IGBT模塊導(dǎo)通,IGBT模塊的電流很小。然而,當(dāng)電磁加熱器具處于小功率加熱時(shí),現(xiàn)有電磁加熱電路中,若在IGBT模塊的漏極仍有一定電壓的情況下,IGBT模塊導(dǎo)通,IGBT模塊的電流較大,容易引起IGBT模塊的損耗,提高電磁加熱器具的器件成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供一種電磁加熱電路和電磁加熱器具,以解決現(xiàn)有電磁加熱電路由于電磁加熱器具處于小功率狀態(tài)下導(dǎo)通IGBT模塊瞬時(shí)的漏源極電流過大而造成IGBT模塊損壞的問題。
第一方面,本實(shí)用新型提供一種電磁加熱電路,包括:主回路、微處理單元、電平轉(zhuǎn)換電路、波形變換電路、推挽電路以及絕緣柵雙極型晶體管IGBT模塊;
其中,所述微處理單元的第一輸出端與所述電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端連接,所述微處理單元的第二輸出端與所述波形變換電路的輸入端連接,所述推挽電路的輸入端分別與所述電平轉(zhuǎn)換電路的輸出端和所述波形變換電路的輸出端連接,所述推挽電路的輸出端與所述IGBT模塊的輸入端連接,所述IGBT模塊的輸出端與所述主回路連接;
所述微處理單元,用于獲取檢測(cè)電磁加熱器具的實(shí)際功率和目標(biāo)電壓;
所述微處理單元,還用于控制所述波形變換電路在電磁加熱器具的實(shí)際功率小于預(yù)設(shè)功率且所述目標(biāo)電壓不為預(yù)設(shè)閾值時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài),以使所述推挽電路驅(qū)動(dòng)所述IGBT模塊處于放大區(qū);
所述微處理單元,還用于控制所述波形變換電路在電磁加熱器具的實(shí)際功率小于預(yù)設(shè)功率且所述目標(biāo)電壓為預(yù)設(shè)閾值時(shí)處于關(guān)斷狀態(tài),以使所述推挽電路驅(qū)動(dòng)所述IGBT模塊處于飽和導(dǎo)通區(qū);
其中,所述目標(biāo)電壓為所述電磁加熱電路的供電電壓,且所述預(yù)設(shè)閾值為所述電磁加熱電路的供電電壓的谷值,或者,所述目標(biāo)電壓為所述電磁加熱電路的供電電壓整流后的電壓,且所述預(yù)設(shè)閾值為所述電磁加熱電路的供電電壓整流后電壓的谷值。
可選地,所述微處理單元,用于在確定所述實(shí)際功率小于預(yù)設(shè)功率且確定所述目標(biāo)電壓不為預(yù)設(shè)閾值時(shí),向所述波形變換電路發(fā)送導(dǎo)通信號(hào),向所述電平轉(zhuǎn)換電路發(fā)送第一脈沖信號(hào),所述導(dǎo)通信號(hào)用于導(dǎo)通所述波形變換電路,且連通所述波形變換電路與所述推挽電路的連接,所述第一脈沖信號(hào)用于使得所述推挽電路向IGBT模塊發(fā)送第一驅(qū)動(dòng)信號(hào),所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)用于驅(qū)動(dòng)IGBT模塊處于放大區(qū)。
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