[實用新型]關鍵尺寸掃描電子顯微鏡缺陷監測片

有效

• 申請號: 201822071934.0
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN208954940U
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 陳靈
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

該實用新型涉及一種關鍵尺寸掃描電子顯微鏡缺陷監測片，用于監測關鍵尺寸掃描電子顯微鏡觀測以監測關鍵尺寸掃描電子顯微鏡的缺陷狀況，包括：裸晶圓；光阻條，形成于裸晶圓上表面，光阻條在關鍵尺寸掃描電子顯微鏡具有氣流缺陷時發生崩塌，用戶通過監測光阻條的崩塌狀況來確定關鍵尺寸掃描電子顯微鏡是否有氣流缺陷。本實用新型的關鍵尺寸掃描電子顯微鏡缺陷監測片具有光阻條，通過監測關鍵尺寸掃描電子顯微鏡缺陷監測片的崩塌與否，就可以檢測關鍵尺寸掃描電子顯微鏡的氣流缺陷，還可以實現對關鍵尺寸掃描電子顯微鏡的顆粒缺陷的監測，簡單方便。

技術領域

本實用新型涉及晶圓生產領域，具體涉及一種關鍵尺寸掃描電子顯微鏡缺陷監測片。

背景技術

隨著半導體器件關鍵尺寸的不斷縮小，關鍵尺寸掃描電子顯微鏡(CDSEM，Critical Dimension Scanning Electron Microscopy)被廣泛的應用于半導體器件的制造領域，以在線進行關鍵尺寸的測量，從而提升半導體器件在工藝生產過程中的良率，因此，關鍵尺寸掃描電子顯微鏡的缺陷監測顯得尤為重要。

在現有技術中，通常采用定期使用顆粒片監控所述關鍵尺寸掃描電子顯微鏡的顆粒情況的方法，來監控所述關鍵尺寸掃描電子顯微鏡的顆粒缺陷。但是該方法只能用來監控關鍵尺寸掃描電子顯微鏡在傳輸過程中的顆粒缺陷，對于某些特殊類型缺陷，并不能起到監控作用。如何在監控顆粒情況的同時，進一步的把控關鍵尺寸監測掃描電子顯微鏡的缺陷，使經所述關鍵尺寸監測掃描電子顯微鏡監測關鍵尺寸后的半導體器件具有更高的良率，是本領域亟待解決的問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種關鍵尺寸掃描電子顯微鏡缺陷監測片，能夠進一步把控關鍵尺寸監測掃描電子顯微鏡的缺陷，使經所述關鍵尺寸監測掃描電子顯微鏡監測關鍵尺寸后的半導體器件具有更高的良率。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種關鍵尺寸掃描電子顯微鏡缺陷監測片，用于監測關鍵尺寸掃描電子顯微鏡的缺陷狀況，包括：裸晶圓；光阻條，形成于所述裸晶圓上表面，所述光阻條在所述關鍵尺寸掃描電子顯微鏡具有氣流缺陷時發生崩塌，用戶通過監測所述光阻條的崩塌狀況來確定所述關鍵尺寸掃描電子顯微鏡是否有氣流缺陷；所述關鍵尺寸掃描電子顯微鏡的氣流缺陷包括：所述關鍵尺寸掃描電子顯微鏡的樣品室釋放真空時的氣流大小超過閾值造成的氣流缺陷。

可選的，所述光阻條包括相互垂直的橫向光阻條和縱向光阻條。

可選的，所述橫向光阻條的數目至少為兩條，且各橫向光阻條相互平行；所述縱向光阻條的數目至少為兩條，且各縱向光阻條相互平行；相鄰兩縱向光阻條之間夾有一橫向光阻條，相鄰兩橫向光阻條夾有一縱向光阻條。

可選的，所述光阻條的長寬比小于3:1。

可選的，所述光阻條和裸晶圓之間形成有緩沖層。

可選的，所述緩沖層為抗反射層。

可選的，所述抗反射層的厚度為30至70nm。

本實用新型的關鍵尺寸掃描電子顯微鏡缺陷監測片具有光阻條，會在所述關鍵尺寸掃描電子顯微鏡存在氣流缺陷時出現崩塌，因此通過監測所述關鍵尺寸掃描電子顯微鏡缺陷監測片的光阻條崩塌與否，就可以實現對所述關鍵尺寸掃描電子顯微鏡的氣流缺陷的監測，同時，仍然可以實現對所述關鍵尺寸掃描電子顯微鏡的顆粒缺陷的監測，簡單方便。

附圖說明

圖1為本實用新型的一種具體實施方式中的關鍵尺寸掃描電子顯微鏡缺陷監測片的結構示意圖。

圖2為本實用新型的一種具體實施方式中關鍵尺寸掃描電子顯微鏡缺陷監測片的俯視示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施方式對本實用新型提出的一種關鍵尺寸掃描電子顯微鏡缺陷監測片作進一步詳細說明。