[實用新型]LED高壓芯片

有效

• 申請號: 201822059886.3
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN209029405U
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: 宋林青;廖漢忠;劉珊珊;李士濤;趙洋;丁逸圣;陳順利;孫日敏
• 申請（專利權）人: 大連德豪光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/24;H01L33/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄭小粵;李雙皓

1.一種LED高壓芯片，其特征在于，包括襯底、多個設置于所述襯底上的發光半導體單元、以及導電連接層，多個所述發光半導體單元通過隔離槽隔離，所述隔離槽包括第一槽體和第二槽體，其中，

所述第一槽體包括相對設置的第一側壁a和第一側壁b，所述第一側壁a與所述襯底之間的傾斜角設為α₁，所述第一側壁b與所述襯底之間的傾斜角設為α₂，α₁和α₂均為20°～50°；所述第二槽體包括相對設置的第二側壁a和第二側壁b，所述第二側壁a與所述襯底之間的傾斜角設為β₁，所述第二側壁b與所述襯底之間的傾斜角設為β₂，β₁和β₂均為60°～90°，所述導電連接層沿所述第一槽體的側壁延伸并串聯相鄰的所述發光半導體單元。

2.根據權利要求1所述的LED高壓芯片，其特征在于，所述發光半導體單元包括依次層疊設置于所述襯底的N型半導體層、發光層和P型半導體層，所述第一槽體的任一側壁設有自所述P型半導體層延伸至所述N型半導體層的缺口，以暴露部分N型半導體層，所述P型半導體層表面設置有透明電極，所述暴露部分的N型半導體層與相鄰所述發光半導體單元上的透明電極通過所述導電連接層連接，以使電流經所述透明電極流至相鄰發光半導體單元的N型半導體層。

3.根據權利要求1所述的LED高壓芯片，其特征在于，所述導電連接層與所述第一槽體之間設置有絕緣層，用于隔絕所述導電連接層與所述第一槽體接觸。

4.根據權利要求1所述的LED高壓芯片，其特征在于，所述LED高壓芯片還包括絕緣保護層，所述絕緣保護層覆蓋于所述發光半導體單元和所述隔離槽表面，用于隔絕所述LED高壓芯片與空氣的接觸。

5.根據權利要求1所述的LED高壓芯片，其特征在于，所述第一槽體沿所述隔離槽的延伸方向的中軸線和所述第二槽體沿所述隔離槽的延伸方向的中軸線共線。

6.根據權利要求1所述的LED高壓芯片，其特征在于，α₁和α₂均為30°～40°。

7.根據權利要求1所述的LED高壓芯片，其特征在于，β₁和β₂均為70°～80°。

8.根據權利要求1所述的LED高壓芯片，其特征在于，α₁＝α₂；及/或β₁＝β₂。

9.根據權利要求1所述的LED高壓芯片，其特征在于，所述第一側壁a和所述第一側壁b的最短距離為d₁，d₁＞0；

所述第二側壁a和所述第二側壁b的最短距離為d₂，d₂＞0。

10.根據權利要求9所述的LED高壓芯片，其特征在于，d₁≥d₂。