[實用新型]一種NMOS控制電路

有效

• 申請號: 201822052012.5
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN209218056U
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: 肖展偉
• 申請（專利權）人: 深圳天邦達科技有限公司
• 主分類號: H03K17/08
• 分類號: H03K17/08;H03K17/56
• 代理公司: 深圳市韋恩肯知識產權代理有限公司 44375
• 代理人: 黃昌平

本實用新型涉及電子技術領域，公開了一種NMOS控制電路，包括單片機、MOS驅動電阻、結電容泄放電阻，放電MOS管，所述放電MOS管內設有結電容，所述單片機的I/O口連接至所述MOS驅動電阻一端，所述MOS驅動電阻另一端以及所述結電容泄放電阻一端連接至所述放電MOS管的柵極，所述結電容泄放電阻另一端接地，所述結電容泄放電阻的阻值大于所述MOS驅動電阻的阻值。實用新型中的結電容泄放電阻阻值較大，能夠減少結電容放電時對電源電路的影響，MOS驅動電阻的阻值較小使得能輸出較強的驅動能力驅動放電MOS管，兩個電阻靈活可調，更容易以低成本的方式能保證MOS管驅動電路正常運行。

技術領域

本實用新型涉及電子技術領域，尤其涉及一種NMOS的控制電路。

背景技術

MOS管由于具有損耗小，開關特性好等特點，廣泛應用在需要電子開關的電路中，例如開關電源、馬達驅動，照明調光等應用場合。

現有技術中的NMOS控制電路，包括單片機、驅動電阻和放電MOS管，在該電路中，驅動電阻的大小至關重要，如果過小會造成單片機供電電源較大波動導致單片機復位；如果過大，在打開放電MOS管時，單片機I/O口對放電MOS管的結電容的充放電能力減弱，在PWM狀態下放電MOS管處于半導通狀態會導致損壞。所以，該電路中為了保證兼顧放電MOS管可靠導通、關斷和不影響單片機電源，對于精確調節驅動電阻的大小的要求較高。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種NMOS控制電路，旨在解決現有技術中需要精確調整驅動電阻大小才能保證電路正常運行的問題。

本實用新型是這樣實現的，一種NMOS控制電路，包括單片機、MOS驅動電阻、結電容泄放電阻，放電MOS管，所述放電MOS管內設有結電容，所述單片機的I/O口連接至所述MOS驅動電阻一端，所述MOS驅動電阻另一端以及所述結電容泄放電阻一端連接至所述放電MOS管的柵極，所述結電容泄放電阻另一端接地，所述結電容泄放電阻的阻值大于所述MOS驅動電阻的阻值。

進一步地，所述放電MOS管開啟時，所述單片機控制I/O口設置為推挽輸出。

進一步地，所述放電MOS管關閉時，所述單片機控制I/O口設置為輸入高阻態，所述結電容通過所述結電容泄放電阻對地放電。

與現有技術相比，本實用新型中的結電容泄放電阻阻值較大，能夠減少結電容放電時對電源電路的影響，MOS驅動電阻的阻值較小使得能輸出較強的驅動能力驅動放電MOS管，兩個電阻靈活可調，更容易以低成本的方式能保證MOS管驅動電路正常運行。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的一種NMOS控制電路的電路示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的MOS控制流程圖。

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

以下結合具體附圖對本實施例的實現進行詳細的描述。

如圖1和圖2所示，本實施例中提供了一種NMOS控制電路，包括單片機、MOS驅動電阻R1、結電容C1泄放電阻R2，放電MOS管。單片機內部設有推挽電路上管M2，推挽電路下管M3。放電MOS管M1具有源極S、漏極D和柵極G。放電MOS管M1內設有結電容C1。單片機的I/O口連接至MOS驅動電阻R1一端，MOS驅動電阻R1另一端以及結電容C1泄放電阻R2一端連接至放電MOS管M1的柵極G，結電容C1泄放電阻R2另一端接地，其中，結電容C1泄放電阻R2的阻值大于MOS驅動電阻R1的阻值7。