[實用新型]低通匹配式大動態常數相位的數控衰減電路有效
| 申請號： | 201822049408.4 | 申請日： | 2018-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN209375595U | 公開（公告）日： | 2019-09-10 |
| 發明（設計）人： | 蓋川;李垚;夏冬 | 申請（專利權）人： | 南京米樂為微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H03H11/24 | 分類號： | H03H11/24;H03H11/28 |
| 代理公司： | 南京中律知識產權代理事務所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 沈振濤 |
| 地址： | 211111 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 常數相位 輸出節點 輸入節點 大動態 低通 數控衰減電路 本實用新型 參考路徑 衰減路徑 衰減 匹配 待衰減信號 非對稱開關 電抗元件 電路架構 電阻網絡 匹配結構 輸出衰減 高動態 插損 相移 串聯 改進 | ||
1.低通匹配式大動態常數相位的數控衰減電路，其特征在于，包括：輸入節點和輸出節點，輸入節點和輸出節點之間連接有參考路徑和衰減路徑，輸入節點接收待衰減信號，輸出節點輸出衰減信號。
2.如權利要求1所述的低通匹配式大動態常數相位的數控衰減電路，其特征在于，參考路徑包括第一串聯晶體管、若干并聯晶體管和若干串聯電抗元件；第一并聯晶體管與第一串聯晶體管連接，若干并聯晶體管之間通過串聯電抗逐級連接；第一控制電壓施加于第一串聯晶體管的偏置節點，第二控制電壓施加于參考路徑中所有若干并聯晶體管的偏置節點上。
3.如權利要求1所述的低通匹配式大動態常數相位的數控衰減電路，其特征在于，衰減路徑包括第二串聯晶體管、若干并聯晶體管、若干串聯電抗元件和衰減網絡；第二串聯晶體管與輸入節點之間通過電抗元件連接，第二并聯晶體管與第二串聯晶體管連接，若干并聯晶體管之間采用串聯電抗元件逐級連接，衰減網絡設置于若干級聯連接并聯晶體管和串聯電抗元件的對稱中心位置；第三控制電壓施加于第二串聯晶體管的偏置節點，第四控制電壓施加于衰減路徑中所有若干并聯晶體管的偏置節點上。
4.如權利要求2或3所述的低通匹配式大動態常數相位的數控衰減電路，其特征在于，參考路徑中第一串聯晶體管的溝道寬度大于衰減路徑中第二串聯晶體管的溝道寬度。
5.如權利要求1所述的低通匹配式大動態常數相位的數控衰減電路，其特征在于，在前級電路與電路輸入節點間串聯電抗元件，在電路輸出節點和后級電路輸入端口之間串聯電抗元件。
6.如權利要求2或3所述的低通匹配式大動態常數相位的數控衰減電路，其特征在于，若干串聯電抗元件采用電感器件或者高特征阻抗的傳輸線。
7.如權利要求3所述的低通匹配式大動態常數相位的數控衰減電路，其特征在于，衰減網絡采用改進的T型電阻網絡實現，在T型網絡的公共節點與接地電阻之間串聯電抗性元件。
8.如權利要求3所述的低通匹配式大動態常數相位的數控衰減電路，其特征在于，衰減網絡采用改進的π型電阻網絡實現，在π型網絡的輸出節點與接地電阻之間串聯電抗性元件。
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