[實用新型]一種適用于DC/DC電源結(jié)合浪涌抑制和EMI濾波的電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201822049079.3 | 申請日: | 2018-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN209046517U | 公開(公告)日: | 2019-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳長興;張伶鳦;趙隆冬;董禮;袁寶山;徐成寶;侯建群;孫鵬飛 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團公司第四十三研究所 |
| 主分類號: | H02M1/08 | 分類號: | H02M1/08;H02M1/32;H02M1/44;H02M3/155 |
| 代理公司: | 合肥天明專利事務(wù)所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 苗娟;金凱 |
| 地址: | 230088 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 自舉電路 開關(guān)電路 方波產(chǎn)生電路 浪涌抑制電路 供電電路 浪涌抑制 濾除 噪聲 電路 差模濾波電路 共模濾波電路 本實用新型 對方波信號 運算放大器 差模噪聲 方波信號 浪涌電流 母線電壓 設(shè)備供電 有效抑制 柵源電壓 直流損耗 降壓 共模 減小 穩(wěn)壓 源極 疊加 開機 供電 | ||
一種適用于DC/DC電源結(jié)合浪涌抑制和EMI濾波的電路,包括浪涌抑制電路和EMI濾波電路,浪涌抑制電路包括供電電路、方波產(chǎn)生電路、N型MOSFET開關(guān)電路,N型MOSFET開關(guān)電路包括自舉電路;供電電路用于對母線電壓進行降壓穩(wěn)壓后給運算放大器供電;方波產(chǎn)生電路產(chǎn)生方波信號提供給自舉電路;N型MOSFET開關(guān)電路,通過自舉電路對方波信號進行整流并增大柵源電壓使N型MOSFET開啟;EMI濾波電路包括共模濾波電路和差模濾波電路用于濾除DC/DC電源共模、差模噪聲以及自舉電路中產(chǎn)生的疊加N型MOSFET漏、源極噪聲。本實用新型不僅能有效抑制自身噪聲,直流損耗小、效率高,而且能對DC/DC電源的EMI噪聲進行濾除,還可以有效減小開機浪涌電流,提高了設(shè)備供電的性能和可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及電子設(shè)備供電系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種適用于DC/DC電源結(jié)合浪涌抑制和EMI濾波的電路。
背景技術(shù)
供電系統(tǒng)是各種電子設(shè)備中不可缺少的組成部分,隨著軍用裝備的發(fā)展和系統(tǒng)集成度的提高,電子設(shè)備的工作環(huán)境越來越復雜,其中系統(tǒng)內(nèi)部的EMI噪聲和開機浪涌電流帶來的影響尤為突出,關(guān)系到整機工作性能和使用壽命。DC/DC電源作為供電系統(tǒng)的核心元器件,抑制其產(chǎn)生的EMI噪聲和開機瞬間產(chǎn)生的浪涌需要設(shè)計相應(yīng)的EMI濾波電路和浪涌抑制電路。通常的解決方法是在DC/DC電源的輸入端串接基于MOSFET的浪涌抑制電路和EMI濾波器,但這種簡單的串接會帶來兩個問題:1.輸入正線采用P型MOSFET浪涌抑制電路在過壓浪涌時,輸出電壓震蕩、導通電阻大、效率低;2.輸入地線采用N型MOSFET的浪涌電路在初次級地短接時,MOSFET常通導致浪涌電路失效。因此,需要將浪涌抑制電路與EMI濾波電路整合設(shè)計,以達到解決上述兩個問題,同時又能有效抑制DC/DC電源噪聲,提高設(shè)備電磁兼容性能的目的。
實用新型內(nèi)容
本實用新型提出的一種適用于DC/DC電源結(jié)合浪涌抑制和EMI濾波的電路,可解決傳統(tǒng)在抑制EMI噪聲和浪涌時在DC/DC電源的輸入端串接基于MOSFET的浪涌抑制電路和EMI濾波器,存在輸出電壓震蕩、導通電阻大、效率低的技術(shù)問題。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型采用了以下技術(shù)方案:
一種適用于DC/DC電源結(jié)合浪涌抑制和EMI濾波的電路,包括浪涌抑制電路和EMI濾波電路;
所述浪涌抑制電路包括供電電路、方波產(chǎn)生電路、帶自舉電路的N型MOSFET開關(guān)電路;供電電路用于對母線電壓進行降壓穩(wěn)壓后給運算放大器供電;所述方波產(chǎn)生電路產(chǎn)生方波信號提供給自舉電路;所述帶自舉電路的N型MOSFET開關(guān)電路,通過自舉電路對方波信號進行整流并增大柵源電壓使N型MOSFET開啟,達到直流電壓緩啟目的。
所述EMI濾波電路包括共模濾波電路和差模濾波電路,共模和差模濾波電路用于濾除DC/DC電源共模、差模噪聲以及自舉電路中產(chǎn)生的疊加N型MOSFET漏、源極噪聲。
進一步的,所述供電電路包括二極管V1、穩(wěn)壓管V2、功率開關(guān)三極管V3、電阻R1和電容C1;所述電阻R1、二極管V1和穩(wěn)壓管V2依次串聯(lián)在共模電感的輸出正端與輸出負端之間,所述功率開關(guān)三極管V3的基極接在電阻R1和二極管V1連接的節(jié)點處,V3的集電極與共模電感L1的輸出正端連接,V3的發(fā)射極與電容C1和運算放大器N1的供電正端連接。
進一步的,所述方波產(chǎn)生電路包含運算放大器N1、電阻R2、R3、R4、R5、R6和電容C2;所述運算放大器N1的正向輸入端與電阻R2、R3、R5相連,其反向輸入端與電阻R6和電容C2相連;所述運算放大器N1的輸出端通過電容C3與自舉電路的輸入端相連;所述電阻R2和R3串接運算放大器N1的供電正端和地端之間;所述電阻R4接在運算放大器N1的供電正端和輸出端之間;所述電阻R5接在運算放大器N1的正向輸入端和輸出端之間;所述電阻R6接在運算放大器N1的反向輸入端和輸出端之間。
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- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設(shè)備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





