[實用新型]一種消除電快速瞬變脈沖群干擾的系統有效
| 申請號: | 201822037088.0 | 申請日: | 2018-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN209446685U | 公開(公告)日: | 2019-09-27 |
| 發明(設計)人: | 鮑樂梅;崔杰 | 申請(專利權)人: | 鄭州云海信息技術有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/00 | 分類號: | G01R31/00;G01R31/26;G01R1/36;G01D21/02 |
| 代理公司: | 濟南誠智商標專利事務所有限公司 37105 | 代理人: | 黃曉燕 |
| 地址: | 450018 河南省鄭州市*** | 國省代碼: | 河南;41 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電快速瞬變脈沖群 溫度檢測單元 連接器單元 測試模塊 開關單元 依次連接 本實用新型 防護單元 抑制模塊 芯片 燒壞 信號耦合網絡 抗干擾技術 信號發生器 開關狀態 溫度過高 溫度信息 諧振單元 檢測 擊穿 降壓 服務器 傳輸 輸出 | ||
本實用新型實施例公開了一種消除電快速瞬變脈沖群干擾的系統,屬于服務器的電磁抗干擾技術領域,包括依次連接的EFT信號發生器、EFT信號耦合網絡、抑制模塊和ITE設備測試模塊,抑制模塊包括依次連接的連接器單元、TVS防護單元、諧振單元和開關單元,開關單元還依次連接控制單元和溫度檢測單元,連接器單元用于傳輸電快速瞬變脈沖群信號,TVS防護單元和諧振單元對連接器單元輸出的電快速瞬變脈沖群信號依次進行降壓,溫度檢測單元檢測ITE設備測試模塊的芯片溫度,控制單元接收溫度檢測單元檢測的溫度信息對開關單元的開關狀態進行控制,與現有技術相比,本實用新型避免了ITE設備測試模塊的芯片由于電壓過高被擊穿或由于溫度過高被燒壞的問題。
技術領域
本實用新型涉及服務器的電磁抗干擾技術領域,具體地說是一種消除電快速瞬變脈沖群干擾的系統。
背景技術
電快速瞬變脈沖群是由于切換感性負載而產生的電磁干擾,通常發生在服務器的電網中存在眾多的機械開關(如:繼電器開關,其他感性負載的切斷與接通等情況下)的斷開和閉合的切換過程中所產生的干擾。電快速瞬變脈沖群的干擾波存在脈沖突波窄,脈沖群重復頻率高,上升沿陡峭,單組脈沖群存在多個突波,干擾波的幅值一般可達KV(千伏)級別等特點。電快速瞬變脈沖群的破壞性較大,電源端口和網絡端口通常為主要的被損壞連接端。中華人民共和國國家標準(GB 17626.4)及國際電工委員會標準(IEC 61000-4-4)所對應的標準電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗中針對于信息技術設備的電快速瞬變脈沖群測試做了相應的規定。測試設備必須能夠滿足測試的要求,能夠具有滿足對應測試等級的抗干擾能力。
信息技術設備的網絡端口同樣是電快速瞬變脈沖群的測試端口,而且相對來說測試敏感度較高,網口芯片受到電快速瞬變脈沖群突波的干擾后,容易被擊穿,導致網口功能喪失。為了保護后端的芯片不受電快速瞬變脈沖群的干擾和影響,通常需要采用TVS(Transient Voltage Suppressor,瞬態抑制二極管)來進行防護,將電快速瞬變脈沖群干擾波旁路到電路板的地回路。
但僅僅使用TVS對后端的芯片進行防護也會破壞后端的芯片,如后端的芯片由于電壓過高被擊穿或由于溫度過高被燒壞。
實用新型內容
本實用新型實施例中提供了一種消除電快速瞬變脈沖群干擾的系統,以解決現有技術中后端的芯片由于電壓過高被擊穿或由于溫度過高被燒壞的問題。
為了解決上述技術問題,本實用新型實施例公開了如下技術方案:
本實用新型提供了一種消除電快速瞬變脈沖群干擾的系統,包括依次連接的EFT(Electrical Fast Transient,電快速瞬變脈沖群)信號發生器、EFT信號耦合網絡、抑制模塊和ITE(Integrated Technology Express,聯陽半導體)設備測試模塊,所述抑制模塊包括依次連接的連接器單元、TVS防護單元、諧振單元和開關單元,所述開關單元還依次連接控制單元和溫度檢測單元。
可選地,所述TVS防護單元包括若干并聯連接的雙向TVS二極管,所述雙向TVS二極管的一端均與連接器單元連接,另一端均接地。
可選地,所述諧振單元包括若干電感和若干電容,所述電感的一端分別與所述雙向TVS二極管的一端對應連接,電感的另一端均與開關單元連接,電容的一端分別與電感的另一端對應連接,電容的另一端均接地。
可選地,所述控制單元包括FPGA(Field-Programmable Gate Array,現場可編程門陣列),所述溫度檢測單元與FPGA的通信管腳連接,所述開關單元與FPGA的控制管腳連接。
可選地,所述開關單元包括若干mos(metal oxide semiconductor,金屬氧化物半導體)管,所述mos管的柵極分別與電感的另一端對應連接,mos管的漏極均與FPGA的控制管腳連接,mos管的源極均與ITE設備測試模塊連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于鄭州云海信息技術有限公司,未經鄭州云海信息技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201822037088.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種智能配電系統用檢測裝置
- 下一篇:輕型車載式移動升降試驗平臺





