[實用新型]具有雙層布拉格反射層的深紫外LED外延結構及器件

有效

• 申請號: 201822033175.9
• 申請日: 2018-12-05
• 公開（公告）號: CN209183567U
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發明（設計）人: 杜士達;張駿;戴江南;陳長清
• 申請（專利權）人: 湖北深紫科技有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/04;H01L33/00
• 代理公司: 武漢智嘉聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 42231
• 代理人: 黃君軍

1.一種具有雙層布拉格反射層的深紫外LED外延結構，其特征在于，所述LED外延結構包括：

襯底；

位于所述襯底上的半導體外延層，包括在所述襯底上依次設置的AlN層、N型AlGaN層、N型布拉格反射層、電流擴展層、量子阱有源層、電子阻擋層、P型布拉格反射層、P型GaN接觸層；所述N型布拉格反射層為Al_xGa_1-xN層與GaN層交替層疊組成的周期結構；所述P型布拉格反射層為Al_yGa_1-yN層與GaN層交替層疊組成的周期結構。

2.如權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述n型布拉格反射層為1-100個周期的Al_xGa_1-xN/GaN超晶格結構，且Al_xGa_1-xN層的厚度為1-50nm，GaN層的厚度為1-50nm，超晶格結構使用Si作為n型摻雜劑。

3.如權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述P型布拉格反射層為1-100個周期的Al_xGa_1-xN/GaN超晶格結構，且Al_yGa_1-yN層的厚度為1-50nm，GaN層的厚度為1-50nm，超晶格結構使用Mg作為P型摻雜劑。

4.如權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述量子阱有源層為AlGaN多量子阱層、多量子壘層交替層疊組成的周期結構。

5.如權利要求4所述的LED外延結構，其特征在于，所述周期數為1-20。

6.一種器件，其特征在于，包括權利要求1-5任一所述的具有雙層布拉格反射層的深紫外LED外延結構。

7.如權利要求6所述的器件，其特征在于，還包括P電極和N電極，所述P電極與P型GaN接觸層歐姆接觸連接，所述N電極與N型AlGaN層歐姆接觸連接。