[實(shí)用新型]一種高度集成的小型變頻器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822032515.6
• 申請日: 2018-12-05
• 公開（公告）號: CN209627207U
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張洪
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市江昇控制技術(shù)有限公司
• 主分類號: H02M1/00
• 分類號: H02M1/00;H05K7/20
• 代理公司: 北京惠智天成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11681
• 代理人: 劉瑩瑩

本實(shí)用新型涉及電氣技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高度集成的小型變頻器，在所述散熱風(fēng)扇的風(fēng)道上設(shè)置所述導(dǎo)熱器、IGBT、及電容器件，用于將功率器件產(chǎn)生熱量直接帶至外部空間。應(yīng)用本實(shí)用新型所述一種高度集成的小型變頻器，所述散熱風(fēng)扇的吹風(fēng)方向面向所述導(dǎo)熱器的橫截面方向，使得所述IGBT、電容器件都處于散熱風(fēng)扇的風(fēng)道上，并所述外殼體對應(yīng)所述散熱風(fēng)扇的風(fēng)道的兩側(cè)面都開設(shè)有通風(fēng)柵孔，所述散熱風(fēng)扇在所述外殼體內(nèi)部空間形成流動(dòng)的風(fēng)道，持續(xù)將所述外殼體內(nèi)部的熱量帶至外部，由于在小型變頻器中產(chǎn)熱量最大的功率器件設(shè)置在所述風(fēng)道上，保證小型變頻器的優(yōu)異降溫效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電氣技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高度集成的小型變頻器。

背景技術(shù)

目前，變頻器是現(xiàn)有技術(shù)中常用的電源器件。在變頻器中含有大量的功率器件，如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)、母線電容、整流橋、濾波器等等。在對變頻器進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)，要基于各功率器件自身的性能，來綜合考慮各器件之間的影響，系統(tǒng)的通風(fēng)散熱性能，結(jié)構(gòu)的合理緊湊性以及安裝維護(hù)等諸多因素，從而來得到性能指標(biāo)最佳的變頻器。

二變頻器在安裝過程中，大多數(shù)采用懸掛的方式，將變頻器懸掛于墻上或者機(jī)器的表面，因其在使用過程中易產(chǎn)生大量的熱量，需要進(jìn)行散熱以保護(hù)機(jī)器的正常工作，目前變頻器散熱靠風(fēng)冷或自冷二種方式，而風(fēng)冷散熱結(jié)構(gòu)是常用的一種散熱方式，但是由于這種散熱結(jié)構(gòu)受空氣流通速度的影響，往往散熱效果不是很理想，尤其在變頻器的模組中，由于電子元件設(shè)置較多，使用時(shí)容易產(chǎn)生高溫，如果散熱效果不好，易導(dǎo)致電子元件受損等故障；同樣采用自冷形式的散熱方式一般使用在小功率產(chǎn)品中，往往隨著變頻器的功率以及負(fù)載的增加，自冷散熱方式非常不理想，即通過上述兩者的冷卻方式設(shè)計(jì)均不理想，容易造成散熱效果不良，影響了整機(jī)性能。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了有效解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種高度集成的小型變頻器。

本實(shí)用新型的具體技術(shù)方案如下：一種高度集成的小型變頻器，所述小型變頻器包括外殼體、底殼、及設(shè)置在外殼體內(nèi)部的變頻組件，所述變頻組件包括導(dǎo)熱器、散熱風(fēng)扇、及功率器件；

所述功率器件包括若干個(gè)IGBT、及至少一個(gè)電容器件，所述導(dǎo)熱器的一側(cè)面上并排設(shè)置所述IGBT，并在對應(yīng)所述IGBT的另一側(cè)面上設(shè)置電容器件；

在所述散熱風(fēng)扇的風(fēng)道上設(shè)置所述導(dǎo)熱器、IGBT、及電容器件，用于將功率器件產(chǎn)生熱量直接帶至外部空間。

進(jìn)一步地，所述底殼面向所述外殼體的一面上設(shè)置用于傳導(dǎo)熱量的導(dǎo)熱器，所述導(dǎo)熱器整體為矩形體結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)熱器從底面豎直向上延伸出支撐柱；

在支撐柱的兩側(cè)面上平行延伸出若干個(gè)散熱片，所述散熱片包括水平延伸距離較短的第一散熱片、及水平延伸距離較長的第二散熱片。

進(jìn)一步地，所述電容器件為直流母線電容，其呈圓柱狀結(jié)構(gòu)，安裝于第二電路板的一邊緣處，且與IGBT相互平行設(shè)置，位于導(dǎo)熱器的側(cè)面位置。

進(jìn)一步地，所述小型變頻器還包括第一電路板、第二電路板，所述第二電路板設(shè)置在所述導(dǎo)熱器上方；

在所述第二電路板上設(shè)置有至少三根支撐柱，所述支撐柱分別布置在第二電路板的三個(gè)方位上，并在所述支撐柱相反于第二電路板的一端水平連接設(shè)置第一電路板，所述第一電路板與第二電路板之間界定為容納空間，在所述容納空間內(nèi)設(shè)置有工作元件。

進(jìn)一步地，所述第一電路板上設(shè)置有控制旋鈕、及控制面板，所述外殼體對應(yīng)所述控制旋鈕、及控制面板開設(shè)有通孔位置。

進(jìn)一步地，所述導(dǎo)熱器的支撐橫板為貫穿的中空結(jié)構(gòu)，在所述中空結(jié)構(gòu)中設(shè)置有用于吸收熱量的循環(huán)水冷卡塊；