[實(shí)用新型]扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201822031402.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN209216923U | 公開(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 范增焰;呂開敏;全昌鎬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/60 | 分類號(hào): | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/482;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/065 |
| 代理公司: | 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 于寶慶;崔香丹 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 預(yù)固化層 接腳 裸片 固化層 重布線層 扇出型 減小 晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu) 熱膨脹系數(shù) 封裝結(jié)構(gòu) 金屬層 翹曲 本實(shí)用新型 晶圓級(jí)封裝 后續(xù)工藝 電連接 鈍化層 暴露 包覆 覆蓋 晶圓 切割 | ||
1.一種扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
裸片,所述裸片具有接腳;
預(yù)固化層,所述預(yù)固化層覆蓋并包覆所述裸片,并且所述裸片的所述接腳一側(cè)暴露出所述預(yù)固化層表面;
重布線層,所述重布線層形成于所述裸片的接腳暴露出的一側(cè),所述重布線層包括鈍化層和金屬層;
多個(gè)球形接腳,形成于所述重布線層上,所述球形接腳通過所述金屬層與所述裸片的所述接腳電連接;以及
固化層,所述固化層形成于預(yù)固化層遠(yuǎn)離所述重布線層的一側(cè)上,所述固化層覆蓋所述預(yù)固化層;
所述固化層與所述預(yù)固化層具有不同的熱膨脹系數(shù),且所述固化層與所述裸片具有相同的熱膨脹系數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述預(yù)固化層是環(huán)氧塑封料,所述固化層是硅晶片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述預(yù)固化層的厚度是200~250μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述固化層的厚度是200~400μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述裸片是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





