[實用新型]半導體晶片有效
| 申請號： | 201822029819.7 | 申請日： | 2018-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN208970547U | 公開（公告）日： | 2019-06-11 |
| 發明（設計）人： | 陳辰;宋杰;崔周源 | 申請（專利權）人： | 西安賽富樂斯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/16;H01L33/20;H01L33/00;H01S5/30;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京金訊知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黃劍飛 |
| 地址： | 710003 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體晶片 外延生長 半極性 襯底 穿透位錯 氮化硅島 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體晶片，其包括：
含有半極性面的PSS襯底；
第一GaN半導體層，外延生長在PSS襯底的半極性面上，并具有第一厚度；
第二GaN半導體層，外延生長在第一GaN半導體層表面上，具有第二厚度；
其中所述第二GaN半導體層與第一GaN半導體層之間有阻斷第一GaN半導體層內的穿透位錯的氮化硅島體。
2.根據權利要求1所述的半導體晶片，其中，所述氮化硅島體的直徑為10納米或小于10納米。
3.根據權利要求1所述的半導體晶片，其中，PSS襯底的半極性面為(20
4.根據權利要求1所述的半導體晶片，其中，第一GaN半導體層為無摻雜的GaN半導體層，而所述第二GaN半導體層為非摻雜型GaN半導體層、N型GaN半導體層或P型GaN半導體層。
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