[實用新型]半極性氮化鎵半導體構件有效
| 申請號： | 201822029597.9 | 申請日： | 2018-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN209029403U | 公開（公告）日： | 2019-06-25 |
| 發明（設計）人： | 陳辰;宋杰;崔周源 | 申請（專利權）人： | 西安賽富樂斯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金訊知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黃劍飛 |
| 地址： | 710003 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 源層 氮化鎵半導體 靜電保護層 半極性 量子阱層 | ||
【權利要求書】：
1.一種半極性氮化鎵半導體構件，其包括：
N型氮化鎵層；
P型氮化鎵層；
有源層，位于N型氮化鎵層和P型氮化鎵層之間，包括最多三個量子阱層；以及
第一靜電保護層，位于N型氮化鎵層與有源層之間；以及
第二靜電保護層，位于有源層與P型氮化鎵層之間。
2.根據權利要求1所述的半極性氮化鎵半導體構件，其中所述有源層為單量子阱層。
3.根據權利要求2所述的半極性氮化鎵半導體構件，其中所述第一靜電保護層和第二靜電保護層為無摻雜的GaN層或InGaN層。
4.根據權利要求2所述的半極性氮化鎵半導體構件，其中所述第一靜電保護層和第二靜電保護層為低摻雜濃度的GaN層或InGaN層。
5.根據權利要求4所述的半極性氮化鎵半導體構件，其中所述第一靜電保護層的N型摻雜濃度小于1×1018/cm3，而所述第二靜電保護層P型摻雜濃度小于5×1018/cm3。
6.根據權利要求1、2、3、4或5所述的半極性氮化鎵半導體構件，其中所述第一靜電保護層和第二靜電保護層厚度為
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安賽富樂斯半導體科技有限公司，未經西安賽富樂斯半導體科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201822029597.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
