[實用新型]半極性氮化鎵單量子阱藍(lán)光發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822027653.5
• 申請日: 2018-12-04
• 公開（公告）號: CN208970549U
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳辰;宋杰;崔周源
• 申請（專利權(quán)）人: 西安賽富樂斯半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京金訊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11554
• 代理人: 黃劍飛

1.一種半極性氮化鎵單量子阱藍(lán)光發(fā)光器件，其包括：

N型氮化鎵層；

P型氮化鎵層；以及

單量子阱有源層，位于N型氮化鎵層和P型氮化鎵層之間，所述單量子阱材料為In_xGa_yN_1-x-y，所述x值為0.1-0.2之間，其厚度為

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半極性氮化鎵單量子阱藍(lán)光發(fā)光器件，其中所述x值為0.15之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半極性氮化鎵單量子阱藍(lán)光發(fā)光器件，其中所述單量子阱的厚度為

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半極性氮化鎵單量子阱藍(lán)光發(fā)光器件，還包括：

第一靜電保護(hù)層，位于N型氮化鎵層與有源層之間；以及

第二靜電保護(hù)層，位于有源層與P型氮化鎵層之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半極性氮化鎵單量子阱藍(lán)光發(fā)光器件，其中所述第一靜電保護(hù)層和第二靜電保護(hù)層為無摻雜的GaN層或InGaN層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半極性氮化鎵單量子阱藍(lán)光發(fā)光器件，其中所述第一靜電保護(hù)層和第二靜電保護(hù)層為低摻雜濃度的GaN層或InGaN層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半極性氮化鎵單量子阱藍(lán)光發(fā)光器件，其中所述第一靜電保護(hù)層和第二靜電保護(hù)層厚度為

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半極性氮化鎵單量子阱藍(lán)光發(fā)光器件，其中所述半極性面為(2021)晶面、(3031)晶面或(3031)晶面。