[實用新型]高效太陽能電池有效
| 申請號: | 201822027625.3 | 申請日: | 2018-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN208873741U | 公開(公告)日: | 2019-05-17 |
| 發明(設計)人: | 陳五奎;劉強;徐文州;龐坤;喻先麗 | 申請(專利權)人: | 樂山新天源太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/068 | 分類號: | H01L31/068;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 李玉興 |
| 地址: | 614000 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高效太陽能電池 減反射層 電連接 太陽能電池板正面 太陽能發電效率 太陽能利用率 本實用新型 電極連接塊 第二電極 電極層電 發電效率 雙面發電 電極層 太陽光 下表面 疊層 太陽能 背面 電機 轉化 | ||
本實用新型公開了一種能夠實現雙面發電,提高太陽能發電效率的高效太陽能電池。該高效太陽能電池,包括由上至下依次疊層的第一減反射層、第一N型半導體層、第一P型半導體層、電極層、第二P型半導體層、第二N型半導體層以及第二減反射層;所述第一減反射層上設置有與第一N型半導體層電連接的第一電機;所述第二減反射層下表面設置有與第二N型半導體層電連接的第二電極;所述高效太陽能電池的兩側均設置有與電極層電連接的電極連接塊。采用該高效太陽能電池能夠將太陽能電池板正面和背面接收到的太陽光均轉化為太陽能,能夠有效的提高發電效率,提高太陽能利用率。
技術領域
本實用新型涉及光電轉換領域,尤其是一種高效太陽能電池。
背景技術
眾所周知的:現有的高效太陽能電池的正面設置有陰極,在太陽能電池的背面設置有電極層。現有的太陽能電池板均通過正面接收太陽光,然后將太陽能轉化為電能,因此部分照射在太陽能電池板背部的光線無法得到利用。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是提供一種能夠實現雙面發電,提高太陽能發電效率的高效太陽能電池。
本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:高效太陽能電池,包括由上至下依次疊層的第一減反射層、第一N型半導體層、第一P型半導體層、電極層、第二P型半導體層、第二N型半導體層以及第二減反射層;所述第一減反射層上設置有與第一N型半導體層電連接的第一電機;所述第二減反射層下表面設置有與第二N型半導體層電連接的第二電極;所述高效太陽能電池的兩側均設置有與電極層電連接的電極連接塊。
優選的,所述電極層采用鋁漿料形成。
具體的,所述第一電極和第二電極采用銀漿燒結而成。
優選的,所述極連接塊采用鋁片。
本實用新型的有益效果是:本實用新型所述的高效太陽能電池,在太陽能電池板的正面和背面均設置有P-N結,因此無論太陽能光照射到電池板的正面還是背面均能將太陽能轉化為電能;從而能夠有效的提高太陽能電池板的發電效率。
附圖說明
圖1是本實用新型實施例中高效太陽能電池的立體結構示意圖;
圖2是本實用新型實施例中高效太陽能電池的俯視圖;
圖3是圖2的A-A剖視圖;
圖中標示:1-第一N型半導體層,2-第一P型半導體層,3-電極層,4-第二P型半導體層,5-第二N型半導體層,6-第一減反射層,7-第二減反射層,8-第一電極,9-電極連接片,10-第二電極。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
如圖1至圖3所示,本實用新型所述的高效太陽能電池,包括由上至下依次疊層的第一減反射層6、第一N型半導體層1、第一P型半導體層2、電極層3、第二P型半導體層4、第二N型半導體層5以及第二減反射層7;所述第一減反射層6上設置有與第一N型半導體層1電連接的第一電機8;所述第二減反射層7下表面設置有與第二N型半導體層5電連接的第二電極10;所述高效太陽能電池的兩側均設置有與電極層3電連接的電極連接塊9。
具體的,所述電極層3采用鋁漿料形成。具體的,所述第一電極8和第二電極10采用銀漿燒結而成。具體的,所述極連接塊9采用鋁片。
在使用過中,由于包括由上至下依次疊層的第一減反射層6、第一N型半導體層1、第一P型半導體層2、電極層3、第二P型半導體層4、第二N型半導體層5以及第二減反射層7;所述第一減反射層6上設置有與第一N型半導體層1電連接的第一電機8;因此,第一電極7與電極連接塊9之間形成電勢差,第二電極10與電極連接塊9之間形成電勢差,從而使得高效太陽能電池的正面和背面設置有兩組對稱分布的P-N結,因此無論太陽能光照射到電池板的正面還是背面均能將太陽能轉化為電能。從而能夠有效的提高太陽能電池板的發電效率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





