[實(shí)用新型]抗干擾天線有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201822026788.X | 申請(qǐng)日: | 2018-12-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN209298343U | 公開(公告)日: | 2019-08-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄒高迪;鄒新 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳邁睿智能科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01Q1/38 | 分類號(hào): | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q21/00 |
| 代理公司: | 寧波理文知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人: | 李高峰;孟湘明 |
| 地址: | 518127 廣東省深圳市寶安區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 輻射源 第二連接件 參考地 第一連接件 抗干擾天線 電連接 接地點(diǎn) 本實(shí)用新型 輻射縫隙 接地 饋電點(diǎn) 鄰近 | ||
1.一抗干擾天線,其特征在于,包括:
一參考地;
一輻射源,其中所述輻射源以在所述輻射源和所述參考地之間形成一輻射縫隙的方式被鄰近地設(shè)置于所述參考地,其中所述輻射源具有一饋電點(diǎn)和至少一接地點(diǎn);以及
一連接部,其中所述連接部包括一第一連接件和一第二連接件,其中所述第一連接件被電連接于所述輻射源的所述接地點(diǎn),所述第二連接件被接地,所述第二連接件形成所述參考地,且所述第一連接件的至少一部分被電連接于所述第二連接件的至少一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗干擾天線,進(jìn)一步包括一第一基板和一第二基板,所述輻射源和所述第一連接件被分別被貼裝于所述第一基板的兩側(cè),所述第二連接件被貼裝于所述第二基板的一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗干擾天線,進(jìn)一步包括一第一絕緣層,其中所述第一絕緣層被設(shè)置于所述第一連接件,且所述第一連接件的至少一部分被暴露,所述第一連接件被暴露的部分被電連接于所述第二連接件。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗干擾天線,其中所述第一絕緣層具有至少一第一缺口,所述第一絕緣層被設(shè)置于所述第一連接件的下表面,且所述第一連接件對(duì)應(yīng)于所述第一絕緣層的所述第一缺口的部分被暴露。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗干擾天線,其中所述第一絕緣層被設(shè)置于所述第一連接件的下表面,且所述第一絕緣層的面積小于所述第一連接件的下表面的面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的抗干擾天線,其中所述第一絕緣層被貼裝于所述第一連接件的下表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的抗干擾天線,其中所述第一絕緣層形成于所述第一連接件的下表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗干擾天線,進(jìn)一步包括一第二絕緣層,其中所述第二絕緣層被設(shè)置于所述第二連接件,且所述第二連接件的至少一部分被暴露,所述第二連接件被暴露的部分被電連接于所述第一連接件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的抗干擾天線,其中所述第二絕緣層具有至少一第二缺口,所述第二絕緣層被設(shè)置于所述第二連接件的上表面,且所述第二連接件對(duì)應(yīng)于所述第二絕緣層的所述第二缺口的部分被暴露。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗干擾天線,其中所述第二絕緣層被設(shè)置于所述第二連接件的上表面,所述第二絕緣層的面積小于所述第二連接件的上表面的面積。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗干擾天線,其中所述第二絕緣層被貼裝于所述第二連接件的上表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的抗干擾天線,其中所述第二絕緣層被貼裝于所述第二連接件的上表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗干擾天線,其中所述第二絕緣層形成于所述第二連接件的上表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的抗干擾天線,其中所述第二絕緣層形成于所述第二連接件的上表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的抗干擾天線,進(jìn)一步包括至少一第四導(dǎo)通件和至少一第五導(dǎo)通件,其中所述第四導(dǎo)通件被電連接于所述第一連接件,所述第五導(dǎo)通件被電連接于所述第二連接件,所述第四導(dǎo)通件貫穿所述第一基板和所述第一絕緣層,所述第五導(dǎo)通件貫穿所述第二絕緣層、所述第二連接件以及所述第二基板,且所述第四導(dǎo)通件被電連接于所述第五導(dǎo)通件。
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