[實用新型]一種陣列式n極通孔叉指電極正裝LED芯片有效
| 申請號: | 201822024668.6 | 申請日: | 2018-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN208939000U | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發明(設計)人: | 呂家將;吳毅;劉贛華;夏志平;王文超 | 申請(專利權)人: | 九江職業技術學院 |
| 主分類號: | H01L33/38 | 分類號: | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司: | 鄭州科碩專利代理事務所(普通合伙) 41157 | 代理人: | 侯立曼 |
| 地址: | 332005 江西*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 通孔 電流擴展層 絕緣隔離層 叉指電極 通槽 陣列式 正裝 半導體發光器件 矩形陣列分布 有效發光面積 本實用新型 叉指結構 電性連接 交替布置 擴展性能 影響電流 導電塊 導電柱 發光層 襯底 多列 減小 延伸 | ||
1.一種陣列式n極通孔叉指電極正裝LED芯片,自下而上依次包括襯底、n型半導體層、發光層和p型半導體層,其特征在于,在p型半導體層上設有與p型半導體層電性連接的電流擴展層,在電流擴展層上設有與電流擴展層絕緣連接的絕緣隔離層,在絕緣隔離層上設有呈矩形陣列分布的n極通孔,所述n極通孔自上而下延伸至n型半導體層,在n極通孔內壁上設有絕緣隔離壁;在絕緣隔離層上并排設有多列p極通孔或者p極通槽,所述p極通孔或者p極通槽自上而下延伸至電流擴展層,沿左右方向一列p極通孔或者p極通槽與一列n極通孔交替布置而形成叉指結構;在n極通孔內設有n極導電柱,同列n極導電柱電性連接后,每列n極導電柱在一端再進行電性連接而形成n電極,在p極通孔或者p極通槽內設有p極導電柱或者p極導電塊,同列p極導電柱或者p極導電塊電性連接后,每列p極導電柱或者p極導電塊在另一端再進行電性連接而形成p電極。
2.根據權利要求1所述的陣列式n極通孔叉指電極正裝LED芯片,其特征在于,所述絕緣隔離層與絕緣隔離壁為一體成型。
3.根據權利要求1所述的陣列式n極通孔叉指電極正裝LED芯片,其特征在于,所述電流擴展層材質為透明導電材料。
4.根據權利要求1至3任一項所述的陣列式n極通孔叉指電極正裝LED芯片,其特征在于,所述絕緣隔離層材質為二氧化硅或者氮化硅。
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