[實用新型]成像單元有效
| 申請號： | 201822023078.1 | 申請日： | 2018-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN209461462U | 公開（公告）日： | 2019-10-01 |
| 發明（設計）人： | F·羅伊 | 申請（專利權）人： | 意法半導體（克洛爾2）公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 法國;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 深溝槽隔離 電容性 柵極晶體管 成像單元 垂直柵極 電極結構 中間節點 耦合 襯底 半導電材料 傳輸柵極 電荷節點 感測節點 溝槽形成 絕緣襯墊 晶體管 延伸 導電 溝道 光敏 填充 | ||
1.一種成像單元，其特征在于，包括：
掠過柵極晶體管，耦合在光敏電荷節點和中間節點之間；和
傳輸柵極晶體管，耦合在所述中間節點和感測節點之間；
其中所述掠過柵極晶體管包括垂直柵極電極結構，所述垂直柵極電極結構包括：
延伸到襯底中的第一電容性深溝槽隔離；和
延伸到所述襯底中的第二電容性深溝槽隔離；
其中所述掠過柵極晶體管的溝道位于所述第一電容性深溝槽隔離和所述第二電容性深溝槽隔離之間；
其中所述第一電容性深溝槽隔離包括襯有絕緣襯墊并填充有導電或半導電材料的第一溝槽；并且
其中所述第二電容性深溝槽隔離包括襯有絕緣襯墊并填充有導電或半導電材料的第二溝槽。
2.根據權利要求1所述的成像單元，其特征在于，所述第一溝槽和所述第二溝槽彼此平行且與所述掠過柵極晶體管的所述溝道的長度平行地延伸。
3.根據權利要求2所述的成像單元，其特征在于，所述掠過柵極晶體管的所述溝道的寬度從所述光敏電荷節點到所述中間節點沿著所述溝道的所述長度恒定。
4.根據權利要求1所述的成像單元，其特征在于，所述第一溝槽和所述第二溝槽彼此不平行且與所述掠過柵極晶體管的所述溝道的長度不平行地延伸。
5.根據權利要求4所述的成像單元，其特征在于，所述掠過柵極晶體管的所述溝道的寬度從所述光敏電荷節點到所述中間節點沿著所述溝道的所述長度增加。
6.根據權利要求5所述的成像單元，其特征在于，所述溝道的寬度的增加是線性增加。
7.根據權利要求1所述的成像單元，其特征在于，填充每個溝槽的所述導電或半導電材料被配置成接收掠過控制信號，所述掠過控制信號設置所述掠過柵極晶體管的掠過電平，以用于將電荷從所述光敏電荷節點傳輸到所述中間節點。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
