[實用新型]在無層錯半極性(20-21)GaN基板上制備的發光器件有效
| 申請號： | 201822021971.0 | 申請日： | 2018-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN208970548U | 公開（公告）日： | 2019-06-11 |
| 發明（設計）人： | 陳辰;宋杰;崔周源 | 申請（專利權）人： | 西安賽富樂斯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金訊知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黃劍飛 |
| 地址： | 710003 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半極性 發光器件 制備 摻雜 多量子阱層 半極性面 單量子阱 量子阱層 上有源層 外露表面 量子壘 量子阱 源層 | ||
1.一種在無層錯半極性(20-21)GaN基板上制備的發光器件，其中包括：
無層錯半極性(20-21)GaN基板；
位于無層錯半極性(20-21)GaN基板上的摻雜Si的N型GaN層；
在N型GaN層上有源層，包括單量子阱層或多量子阱層，每個量子阱層包括InGaN量子阱和GaN量子壘；
在有源層上的摻雜Mg的P型GaN層；以及
位于P型GaN層外表面的P型電極和位于N型GaN層的外露表面上的N型電極。
2.如權利要求1所述的在無層錯半極性(20-21)GaN基板上制備的發光器件，其中無層錯半極性(20-21)面GaN基板的厚度為3～10微米。
3.如權利要求1所述的在無層錯半極性(20-21)GaN基板上制備的發光器件，其中所述N型GaN層中Si的摻雜濃度為5E18～1E19 cm-3。
4.如權利要求2所述的在無層錯半極性(20-21)GaN基板上制備的發光器件，其中所述N型GaN層的厚度為1～2微米。
5.如權利要求1所述的在無層錯半極性(20-21)GaN基板上制備的發光器件，其中所述有源層的InGaN量子阱的厚度為6～10納米，所述有源層的GaN量子壘的厚度為10～15納米。
6.如權利要求1所述的在無層錯半極性(20-21)GaN基板上制備的發光器件，其中所述有源層中包含3～5個量子阱層。
7.如權利要求1所述的在無層錯半極性(20-21)GaN基板上制備的發光器件，其中所述P型GaN層的厚度為50～300納米。
8.如權利要求1所述的在無層錯半極性(20-21)GaN基板上制備的發光器件，其中所述P型GaN層中Mg的摻雜濃度為3E19～8E19 cm-3。
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