[實(shí)用新型]天線封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201822019599.X | 申請(qǐng)日: | 2018-12-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208986176U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳彥亨;林正忠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體(江陰)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01Q1/22 | 分類號(hào): | H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 214437 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 饋電線 金屬天線 金屬柵欄 天線封裝 封裝層 柵欄 本實(shí)用新型 重新布線層 電連接 天線 多層天線結(jié)構(gòu) 堆疊設(shè)置 高效率 隔離度 整合性 頂面 阻隔 顯露 覆蓋 | ||
本實(shí)用新型提供一種天線封裝結(jié)構(gòu),所述天線封裝結(jié)構(gòu)于重新布線層上形成饋電線及饋電線金屬柵欄;饋電線與重新布線層電連接,饋電線至少包括兩個(gè);饋電線金屬柵欄位于任意兩個(gè)饋電線之間;封裝層覆蓋饋電線及饋電線金屬柵欄,且封裝層的頂面顯露饋電線及饋電線金屬柵欄;金屬天線位于封裝層上,金屬天線與饋電線電連接;金屬天線柵欄位于封裝層上,金屬天線柵欄與饋電線金屬柵欄相接觸,且金屬天線柵欄位于任意兩個(gè)金屬天線之間。本實(shí)用新型在不增加天線封裝的面積的前提下,有效的阻隔天線,增加天線的隔離度;且可形成堆疊設(shè)置的具有多層天線結(jié)構(gòu)的天線封裝,具有高效率及高整合性。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種天線封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
隨著高科技電子產(chǎn)品的普及以及人們需求的增加,特別是為了配合移動(dòng)的需求,大多高科技電子產(chǎn)品都增加了無(wú)線通訊的功能。然而,天線與天線之間會(huì)存在互相干擾的現(xiàn)象,因此天線與天線之間須具有隔離度。天線的隔離度是指一個(gè)天線發(fā)射信號(hào),通過(guò)另一個(gè)天線接收的信號(hào)與該發(fā)射天線信號(hào)的比值,天線的隔離度取決于天線輻射方向圖、天線的空間距離、天線增益。為了盡量減少天線之間的干擾,所采取的抑制措施中,通常做法就是增加空間隔離度,以增加空間的距離。
天線封裝(AiP)是基于封裝材料與工藝將天線與芯片集成在封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)無(wú)線功能的一門技術(shù)。AiP技術(shù)順應(yīng)了硅基半導(dǎo)體工藝集成度提高的潮流,為系統(tǒng)級(jí)無(wú)線芯片提供了良好的天線解決方案,因而深受廣大芯片及封裝制造商的青睞。對(duì)于AiP,目前為了避免天線與天線之間的干擾,通常采用的抑制干擾措施即通過(guò)增加天線的間距來(lái)解決,但采用該方法會(huì)增加天線封裝的面積,相應(yīng)的也會(huì)使得電子產(chǎn)品占據(jù)較大的面積,這與人們所追求的小型化、便捷式的電子產(chǎn)品相違背。
鑒于此,提供一種新型的天線封裝結(jié)構(gòu),在不增加天線封裝的面積的前提下,用以增加天線的隔離度實(shí)屬必要。
實(shí)用新型內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本實(shí)用新型的目的在于提供一種天線封裝結(jié)構(gòu),用于在不增加天線封裝的面積的前提下,增加天線的隔離度。
為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實(shí)用新型提供一種天線封裝結(jié)構(gòu),所述天線封裝結(jié)構(gòu)包括:
重新布線層;
饋電線,所述饋電線位于所述重新布線層上,所述饋電線與所述重新布線層電連接;所述饋電線至少包括兩個(gè);
饋電線金屬柵欄,所述饋電線金屬柵欄位于所述重新布線層上,且所述饋電線金屬柵欄位于任意兩個(gè)所述饋電線之間;
封裝層,所述封裝層覆蓋所述饋電線及所述饋電線金屬柵欄,且所述封裝層的頂面顯露所述饋電線及所述饋電線金屬柵欄;
金屬天線,所述金屬天線位于所述封裝層上,所述金屬天線與所述饋電線電連接;
金屬天線柵欄,所述金屬天線柵欄位于所述封裝層上,所述金屬天線柵欄與所述饋電線金屬柵欄相接觸,且所述金屬天線柵欄位于任意兩個(gè)所述金屬天線之間。
可選地,所述饋電線金屬柵欄包括金屬線及金屬框中的一種或組合。
可選地,所述金屬天線柵欄的俯視形狀包括環(huán)形。
可選地,所述重新布線層上包括層疊的N層天線結(jié)構(gòu),其中N≥2。
可選地,所述饋電線金屬柵欄包括金線、銀線、銅線及鋁線中的一種或組合;所述饋電線包括金線、銀線、銅線及鋁線中的一種或組合。
可選地,所述饋電線的線徑的范圍包括1mil~10mil。
可選地,所述饋電線的高度的范圍包括25μm~1500μm。
可選地,所述封裝層包括聚酰亞胺層、硅膠層及環(huán)氧樹(shù)脂層中的一種或組合。
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