[實用新型]天線封裝結構

有效

• 申請號: 201822019564.6
• 申請日: 2018-12-03
• 公開（公告）號: CN208938923U
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 陳彥亨;林正忠
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/58
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本實用新型提供一種天線封裝結構，所述天線封裝結構于重新布線層的第二面上形成位于下層的第一天線結構及位于第一天線結構上的第二天線結構，在形成第二天線結構中的第二天線金屬層時，使得第二天線金屬層在第一封裝層上的投影可顯露天線金屬主體層，從而在后續工藝中，通過去除位于天線金屬主體層上的第二封裝層形成空腔，即可顯露天線金屬主體層，在形成堆疊設置的具有多層天線結構的同時，可減少天線金屬層的電磁波的衰減和損耗。

技術領域

本實用新型屬于半導體封裝技術領域，涉及一種天線封裝結構。

背景技術

隨著高科技電子產品的普及以及人們需求的增加，特別是為了配合移動的需求，大多高科技電子產品都增加了無線通訊的功能。

一般來說，現有的天線結構通常是將天線直接制作于電路板的表面，這種做法會讓天線占據額外的電路板面積，整合性較差。對于各種高科技電子產品而言，若將天線直接制作于電路板的表面，將需要具有較大體積的電路板，從而使得高科技電子產品也占據較大的體積，這與人們對高科技電子產品的小型化、便捷式的需求相違背。

隨著通信信息的快速發展，5G(5th Generation)即第五代移動通信，已成為人們研究的重點。在5G高頻天線中，由于天線的電磁波頻率非常高，通信波長變成毫米級(毫米波)，天線尺寸也縮減到了幾個毫米，高頻的電磁波，傳播衰減也較大，尤其在天線封裝方面，由于天線封裝材料會造成天線電磁波頻率的衰減和損耗，因此天線封裝材料的選擇尤為重要。為了減少高頻天線的電磁波的衰減和損耗，開發一種新型的天線封裝結構，用以降低天線的電磁波的衰減和損耗尤為重要。

鑒于此，有必要設計一種新型的天線封裝結構，用以減少天線在封裝材料中電磁波的衰減和損耗。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種天線封裝結構，用于解決現有技術中天線在封裝材料中電磁波的衰減和損耗的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種天線封裝結構，所述封裝結構包括：

重新布線層，所述重新布線層包括第一面以及相對的第二面；

第一金屬連接柱，形成于所述重新布線層的第二面上與所述重新布線層電連接；

第一封裝層，覆蓋所述第一金屬連接柱及所述重新布線層的第二面，且所述第一封裝層的頂面顯露所述第一金屬連接柱；

第一天線金屬層，形成于所述第一封裝層上，所述第一天線金屬層與所述第一金屬連接柱電連接，所述第一天線金屬層包括天線金屬互聯層及天線金屬主體層；

第二金屬連接柱，形成于所述天線金屬互聯層上；

第二封裝層，覆蓋所述第二金屬連接柱且所述第二封裝層的頂面顯露所述第二金屬連接柱；所述第二封裝層覆蓋所述天線金屬互聯層并顯露所述天線金屬主體層，以在所述天線金屬主體層上方形成空腔；

第二天線金屬層，形成于所述第一封裝層表面，所述第二天線金屬層與所述第二金屬連接柱電連接，且所述第二天線金屬層在所述第一封裝層上的投影顯露所述天線金屬主體層；

金屬凸塊，形成于所述重新布線層的第一面上；以及

半導體芯片，接合于所述重新布線層的第一面上。

可選的，所述重新布線層的第二面上包括N層天線結構，其中N≥3。

可選的，所述半導體芯片與所述重新布線層的第一面之間還包括底部填充層，所述底部填充層包括環氧樹脂層。

可選的，所述重新布線層包括介質層及金屬布線層，所述介質層包括環氧樹脂層、硅膠層、PI層、PBO層、BCB層、氧化硅層、磷硅玻璃層及含氟玻璃層中的一種或兩種以上組合；所述金屬布線層包括銅層、鋁層、鎳層、金層、銀層及鈦層中的一種或兩種以上組合。