[實(shí)用新型]一種用于對(duì)太陽(yáng)能電池進(jìn)行抗光衰處理的探針裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201822010053.8
• 申請(qǐng)日: 2018-12-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209045592U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 艾斌;葉家興;沈輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中山大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 廣州新諾專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44100
• 代理人: 張玲春

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于對(duì)太陽(yáng)能電池進(jìn)行抗光衰處理的探針裝置，包括邊框、探針條、導(dǎo)電金屬片和金屬探針；邊框?yàn)榻^緣絕熱材質(zhì)且兩邊都設(shè)置有第一安裝孔的矩形邊框；邊框下方設(shè)置有若干個(gè)探針條；探針條為長(zhǎng)條形的金屬板，探針條的中間部分下凹，探針條的兩端都設(shè)置有第二安裝孔；探針條兩端的第二安裝孔通過(guò)安裝件和第一安裝孔與邊框的兩邊固定連接；探針條的中間部分上間隔設(shè)置有若干個(gè)金屬探針；金屬探針的朝向垂直于探針條所在平面；所有探針條的一端和對(duì)應(yīng)的邊框的一邊之間還設(shè)置有導(dǎo)電金屬片，導(dǎo)電金屬片與所有探針條的一端連接，導(dǎo)電金屬片的長(zhǎng)度長(zhǎng)于邊框的一邊。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)堅(jiān)固、外觀美觀、易于制造、且制造成本低等多種優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于對(duì)太陽(yáng)能電池進(jìn)行抗光衰處理的探針裝置。

背景技術(shù)

摻硼p型晶體硅太陽(yáng)能電池(包括常規(guī)鋁背場(chǎng)電池和效率超過(guò)20％的高效PERC電池)憑借其低成本、高效率、長(zhǎng)壽命以及成熟的工藝技術(shù)等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，牢牢占據(jù)著光伏市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。然而，摻硼p型晶體硅太陽(yáng)能電池存在光衰的問(wèn)題，該問(wèn)題長(zhǎng)期以來(lái)極大地困擾著摻硼p型晶體硅太陽(yáng)能電池的發(fā)展。

盡管人們已經(jīng)對(duì)摻硼p型晶體硅太陽(yáng)能電池的光衰機(jī)制進(jìn)行了大量的研究，但是，人們至今對(duì)引起摻硼p型晶體硅太陽(yáng)能電池光衰的缺陷的結(jié)構(gòu)、種類和性質(zhì)等仍存在爭(zhēng)論。目前，主流的觀點(diǎn)認(rèn)為光照使摻硼p型晶體硅內(nèi)部形成了硼—氧復(fù)合體這種亞穩(wěn)缺陷，光致性能衰減就是由這種亞穩(wěn)缺陷造成的。

在摻硼p型晶體硅太陽(yáng)能電池光衰抑制措施的研究方面，Herguth等人于2006年發(fā)現(xiàn)摻硼直拉單晶硅片在載流子注入(譬如使用光強(qiáng)大于1000W/m2的光照射)的同時(shí)給予加熱(50—210℃)，硼—氧缺陷會(huì)發(fā)生“復(fù)原”反應(yīng)，即硼—氧缺陷會(huì)由具有復(fù)合活性的“衰減態(tài)”轉(zhuǎn)變?yōu)閱适?fù)合活性的“復(fù)原態(tài)”，硼—氧缺陷造成的少子壽命的光致衰減基本能完全恢復(fù)，更重要的是硼—氧缺陷的“復(fù)原態(tài)”在太陽(yáng)能電池工作條件下是穩(wěn)定的。

在對(duì)摻硼p型晶體硅太陽(yáng)能電池抗光衰處理方面，對(duì)電池片的載流子注入可選擇“光注入”和“電注入”兩種方式，而“電注入”相對(duì)于“光注入”具有節(jié)省能源、注入電流大、不存在光損傷、可疊片批量化處理等獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。然而，目前市面上并沒(méi)有專用的探針架可對(duì)太陽(yáng)能電池進(jìn)行電注入抗光衰處理。人們通常使用I-V特性測(cè)試儀上的探針架或者金屬壓塊來(lái)接觸太陽(yáng)能電池的正面電極進(jìn)行電注入，然而I-V特性測(cè)試儀上的探針架是為了準(zhǔn)確測(cè)量太陽(yáng)能電池I-V特性參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)的，其設(shè)計(jì)考慮了遮光損失、電流、電壓的同時(shí)引出及相互絕緣、兼容多種主柵結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)堅(jiān)固、外觀美觀等多種因素，因此造價(jià)非常昂貴，此外，I-V特性測(cè)試儀上的探針架通常在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件(25℃，1個(gè)太陽(yáng)光強(qiáng))下使用，電注入抗光衰處理時(shí)加熱溫度受到很大限制。使用金屬塊接觸太陽(yáng)能電池的正面電極則存在注入電流在電池面積上分布不均勻的問(wèn)題。

現(xiàn)有技術(shù)中，目前沒(méi)有研制出合適的探針架用于摻硼p型晶體硅太陽(yáng)能電池的電注入抗光衰處理，大部分所應(yīng)用的抗光衰處理裝置都非常復(fù)雜且昂貴，同時(shí)操作十分復(fù)雜。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了克服上述技術(shù)缺陷，本實(shí)用新型提供一種用于對(duì)太陽(yáng)能電池進(jìn)行抗光衰處理的探針裝置，它既可以完全滿足“電注入+加熱”抗光衰處理的實(shí)驗(yàn)要求，又可兼容多種主柵結(jié)構(gòu)且注入電流均勻分布，此外，還具有結(jié)構(gòu)堅(jiān)固、外觀美觀、易于制造、且制造成本低等多種優(yōu)點(diǎn)。

為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型按以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的：

一種用于對(duì)太陽(yáng)能電池進(jìn)行抗光衰處理的探針裝置，包括邊框、探針條、導(dǎo)電金屬片和金屬探針；

所述邊框?yàn)榻^緣絕熱材質(zhì)，所述邊框?yàn)閮蛇叾荚O(shè)置有第一安裝孔的矩形邊框；所述邊框下方設(shè)置有若干個(gè)所述探針條；

所述探針條為長(zhǎng)條形的金屬板，所述探針條的中間部分下凹，所述探針條的兩端都設(shè)置有第二安裝孔；所述探針條兩端的所述第二安裝孔通過(guò)安裝件和所述第一安裝孔與所述邊框的兩邊固定連接；