[實用新型]一種傳感器裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822005325.5
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN209417292U
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發(fā)明（設計）人: 李揚淵
• 申請（專利權(quán)）人: 李揚淵
• 主分類號: G01S15/02
• 分類號: G01S15/02;G01S7/521
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

本實用新型請求保護一種傳感器裝置，該裝置包括：基板，該基板的第一表面具有第一區(qū)域、第二區(qū)域以及彎曲區(qū)域，所述彎曲區(qū)域位于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間；超聲波傳感器電路，所述超聲波傳感器電路形成在所述第一區(qū)域；電極，所述電極形成在所述第二區(qū)域；覆蓋板，所述覆蓋板通過結(jié)合層設置在所述基板上方。彎曲區(qū)域使得第二區(qū)域使得外接引線避讓覆蓋板，使得結(jié)合層厚度大大降低，降低了超聲波信號在發(fā)射和接收過程中的損失，并且通過彎曲工藝形成避讓覆蓋板的第二區(qū)域，工藝簡單易操作。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型專利涉及超聲波傳感領(lǐng)域。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的超聲波傳感器是由基于壓電陶瓷的單體超聲波傳感器組裝，這種方案無法實現(xiàn)高密度點陣的超聲波傳感器，高密度點陣超聲波傳感器可通過mems工藝制造，但成本過高，高密度點陣超聲波傳感器還可基于TFT工藝，可用于指紋采集，在玻璃基板上的TFT(薄膜晶體管)陣列上覆蓋壓電薄膜的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)高密度點陣的超聲波傳感器結(jié)構(gòu)，該超聲波傳感結(jié)構(gòu)如圖1所示。

如圖1，超聲波傳感器電路6和焊盤4設置在玻璃基板1上；超聲波傳感器電路6包括形成在基板1上的像素電路以及壓電薄膜等，像素電路包括TFT陣列，TFT陣列沉積在玻璃基板1上；基板1上包括焊盤4，外接引線5設置在基板的上方，并且外接引線5與超聲波傳感器電路6通過焊盤電連接；覆蓋板3通過結(jié)合層2設置在超聲波傳感器電路6的上方。

超聲波傳感器電路6發(fā)射的超聲波信號穿過結(jié)合層2和覆蓋板3被探測目標反射，反射后的超聲波信號再經(jīng)過覆蓋板3和結(jié)合層2被超聲波傳感器電路6接收，由于結(jié)合層2剛度低，對超聲波接收較強，超聲波信號損失與結(jié)合層的厚度正相關(guān)。外接引線遠大于超聲波傳感器電路的厚度，抬高了覆蓋板3的安裝位置，導致結(jié)合層厚度由外接引線和超聲波傳感器電路的厚度差影響，該厚度差越大，則結(jié)合層厚度越厚，超聲波信號損失越大。

高通為了解決該問題，在專利us2017/0364726中披露了通過TSV工藝將外接引線設置在基板的背面，但TSV工藝復雜。

實用新型內(nèi)容

本實用新型請求保護一種傳感器裝置，該裝置包括：基板，該基板的第一表面具有第一區(qū)域、第二區(qū)域以及彎曲區(qū)域，所述彎曲區(qū)域位于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間；超聲波傳感器電路，所述超聲波傳感器電路形成在所述第一區(qū)域；電極，所述電極形成在所述第二區(qū)域；覆蓋板，所述覆蓋板通過結(jié)合層設置在所述基板上方。

優(yōu)選地，所述彎曲區(qū)域使得所述第二區(qū)域避讓所述覆蓋板。

優(yōu)選地，該裝置還包括外接引線，所述外接引線與所述電極電連接。

優(yōu)選地，所述外接引線為柔性電路板或打線形成的金屬線。

優(yōu)選地，所述彎曲區(qū)域使得所述外接引線避讓所述覆蓋板。

優(yōu)選地，所述基板的第二表面設置補強板。

優(yōu)選地，所述基板彎曲呈階梯型、U型或L型。

優(yōu)選地，所述基板為玻璃或聚酰亞胺材料。

優(yōu)選地，所述超聲波傳感器電路接收探測目標反射的超聲波信號，該反射的超聲波信號穿過所述覆蓋板和所述結(jié)合層。

優(yōu)選地，所述基板由玻璃熔化后彎曲而成。

本實用新型的彎曲結(jié)構(gòu)導致第二區(qū)域避讓覆蓋板，從而使得外接引線避讓覆蓋板，解決了結(jié)合層厚度過厚的問題，并且彎曲基板的方法相對于其他方法簡單易操作。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的傳感器裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2和圖3是本實用新型實施例一的傳感器裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4和圖5是本實用新型實施例二的傳感器裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。